| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 致谢 | 第10-16页 |
| 第一章 绪言 | 第16-30页 |
| ·纳米技术的产生及发展 | 第16-18页 |
| ·半导体准一维纳米材料的合成 | 第18-21页 |
| ·一维纳米结构的液相合成方法 | 第19-20页 |
| ·气相法合成一维纳米材料 | 第20-21页 |
| ·半导体一维纳米材料的表征 | 第21-24页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第21-22页 |
| ·X 射线衍射分析（XRD） | 第22-23页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) 和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）分析 | 第23页 |
| ·光致发光（PL）分析 | 第23-24页 |
| ·半导体一维纳米材料的应用 | 第24-28页 |
| ·场效应器件 | 第24-25页 |
| ·光学器件 | 第25页 |
| ·传感器件 | 第25-27页 |
| ·光伏器件 | 第27-28页 |
| ·其他应用 | 第28页 |
| ·研究背景与目的 | 第28-30页 |
| 第二章 一维 ZnS 纳米结构的可控掺杂及表征 | 第30-37页 |
| ·合成及掺杂所需药品及实验仪器 | 第30-31页 |
| ·n 型 ZnS 纳米结构的可控合成 | 第31-32页 |
| ·ZnS:Al 纳米线的表征 | 第32-34页 |
| ·p 型 ZnS 纳米带的合成及表征 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 基于掺杂 ZnS 纳米结构 FET 的制备及其电输运特性的研究 | 第37-48页 |
| ·纳米器件制备所需材料及仪器 | 第37-39页 |
| ·纳米器件制备基础 | 第39-41页 |
| ·纳米线的转移 | 第39页 |
| ·光刻工艺 | 第39-41页 |
| ·电极制备 | 第41页 |
| ·基于单根 ZnS:Al 纳米线底栅场效应器件制备及其电学特性的研究 | 第41-47页 |
| ·基于单根 ZnS:Al 纳米线底栅场效应晶体管的制备 | 第41-42页 |
| ·单根 ZnS:Al 纳米线电输运特性的研究 | 第42-45页 |
| ·基于单根 p 型 ZnS 纳米带 FET 的制备及其电学特性的研究 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 基于掺杂 ZnS 纳米结构光电探测器的研究 | 第48-55页 |
| ·n 型 ZnS 纳米线紫外传感器 | 第48-52页 |
| ·紫外传感器的应用 | 第48页 |
| ·基于 ZnS:Al 纳米线紫外传感器的研究 | 第48-52页 |
| ·p 型 ZnS 纳米带光电传感器 | 第52-54页 |
| ·基于 ZnS:Cu 纳米带光电探测器的制备 | 第52-53页 |
| ·p 型 ZnS 纳米带光电探测器的研究 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 基于 n 型 ZnS 纳米线湿度传感器的研究 | 第55-59页 |
| ·湿度的定义及湿度传感器的介绍 | 第55页 |
| ·单根 n 型 ZnS 纳米线的湿度传感器 | 第55-57页 |
| ·湿度对 ZnS 纳米线光电特性的影响 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 全文总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第67-68页 |
