| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| §1-1 课题的研究背景及意义 | 第7-8页 |
| §1-2 国内外研究现状 | 第8-9页 |
| §1-3 本论文的主要研究内容 | 第9-11页 |
| 第二章 铜箔绕组损耗的研究 | 第11-24页 |
| §2-1 用于涡流分析的麦克斯韦方程 | 第11-12页 |
| §2-2 薄铜箔集肤效应损耗的一维解 | 第12-16页 |
| §2-3 薄铜箔邻近效应的一维解 | 第16-20页 |
| §2-4 载流薄铜箔涡流损耗的一维解 | 第20-23页 |
| §2-5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 并联绕组的分析与研究 | 第24-38页 |
| §3-1 厚绕组平分为薄绕组的并联对损耗影响的分析 | 第24-28页 |
| §3-2 并联绕组中影响电流分布的因素 | 第28-33页 |
| 3-2-1 绕组电流频率 | 第29-30页 |
| 3-2-2 绕组布置 | 第30-32页 |
| 3-2-3 并联绕组层间绝缘层的厚度 | 第32页 |
| 3-2-4 并联绕组的厚度 | 第32-33页 |
| §3-3 原副边绕组层间交叉换位对减少高频绕组损耗的分析 | 第33-37页 |
| 3-3-1 原副边绕组串联的交叉换位技术 | 第33-35页 |
| 3-3-2 副边绕组并联的交叉换位技术 | 第35-37页 |
| §3-4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 高频电感绕组损耗的分析 | 第38-47页 |
| §4-1 气隙效应的分析 | 第38-39页 |
| §4-2 旁路磁通损耗 | 第39-41页 |
| §4-3 导体边缘效应对损耗的影响分析 | 第41-42页 |
| §4-4 仿真分析 | 第42-46页 |
| 4-4-1 旁路磁通的仿真分析 | 第42-45页 |
| 4-4-2 气隙和导体边缘效应仿真分析 | 第45-46页 |
| §4-5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 总结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50页 |