| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 存储器概述 | 第12-19页 |
| 1.2.1 挥发性存储器 | 第12页 |
| 1.2.2 传统非挥发性存储器 | 第12-14页 |
| 1.2.3 新型非挥发性存储器 | 第14-18页 |
| 1.2.4 半导体存储器性能比较 | 第18-19页 |
| 1.3 阻变存储器研究现状 | 第19-20页 |
| 1.3.1 阻变存储器的发展历程 | 第19-20页 |
| 1.3.2 国内阻变存储器的研究现状 | 第20页 |
| 1.4 论文选题依据及主要内容 | 第20-23页 |
| 1.4.1 论文选题依据 | 第20-21页 |
| 1.4.2 主要内容 | 第21-23页 |
| 第2章 阻变存储器器件制备及其表征方法 | 第23-36页 |
| 2.1 阻变材料 | 第23-27页 |
| 2.1.1 二元金属氧化物 | 第24-25页 |
| 2.1.2 三元及多元氧化物 | 第25页 |
| 2.1.3 硫族固态电解质 | 第25-26页 |
| 2.1.4 其他无机材料 | 第26页 |
| 2.1.5 有机材料 | 第26-27页 |
| 2.2 阻变存储器阻变机制 | 第27-29页 |
| 2.2.1 电化学金属化机制 | 第27-28页 |
| 2.2.2 价态转变机制 | 第28页 |
| 2.2.3 热化学机制 | 第28-29页 |
| 2.2.4 纯电子效应 | 第29页 |
| 2.3 功能性薄膜器件制备方法 | 第29-33页 |
| 2.3.1 脉冲激光沉积法(PLD) | 第30-31页 |
| 2.3.2 化学气相沉积法(CVD) | 第31页 |
| 2.3.3 磁控溅射法(magnetron sputtering) | 第31页 |
| 2.3.4 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 | 第31-32页 |
| 2.3.5 原子层沉积(ALD) | 第32-33页 |
| 2.4 阻变存储器的制备 | 第33-34页 |
| 2.4.1 ALD制备材料所用反应源 | 第33-34页 |
| 2.4.2 阻变器件制备工艺 | 第34页 |
| 2.5 微观结构及电学性能表征 | 第34-35页 |
| 2.5.1 X射线光电子能谱 | 第35页 |
| 2.5.2 X射线衍射 | 第35页 |
| 2.5.3 扫描电子显微镜 | 第35页 |
| 2.5.4 扫描电流原子力显微镜 | 第35页 |
| 2.5.5 半导体参数分析仪 | 第35页 |
| 2.6 本章小节 | 第35-36页 |
| 第3章 Pt/HfO_2/TiN和Pt/Al_2O_3/Ti N阻变器件制备及性能表征 | 第36-47页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 Pt/HfO_2/TiN和Pt/Al_2O_3/Ti N阻变器件ALD制备及性能表征 | 第36-40页 |
| 3.2.1 阻变存储器件ALD制备 | 第36-37页 |
| 3.2.2 器件微观结构 | 第37-38页 |
| 3.2.3 阻变存储器件的元素分析 | 第38-40页 |
| 3.3 阻变存储器件的电学特性 | 第40-44页 |
| 3.3.1 阻变存储器件的阻变性能 | 第40-41页 |
| 3.3.2 阻变存储器件的操作电压 | 第41-42页 |
| 3.3.3 阻变存储器件的高低电阻分布 | 第42-43页 |
| 3.3.4 阻变存储器件的保持性能 | 第43-44页 |
| 3.3.5 阻变存储器件的抗疲劳性能 | 第44页 |
| 3.4 器件的导电机制 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 Pt/HfO_2/Al_2O_3/TiN结构器件的阻变性能 | 第47-58页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 器件的制备、微观结构表征 | 第47-50页 |
| 4.2.1 阻变存储器的制备方法 | 第47-48页 |
| 4.2.2 器件中的晶体结构及元素分析 | 第48-50页 |
| 4.3 阻变存储器件中的电学特性 | 第50-55页 |
| 4.3.1 器件的Forming过程 | 第50-51页 |
| 4.3.2 器件的I-V特性曲线 | 第51-52页 |
| 4.3.3 器件的高低阻值分布 | 第52页 |
| 4.3.4 器件的操作电压 | 第52-53页 |
| 4.3.5 器件的保持性能 | 第53-54页 |
| 4.3.6 器件的疲劳特性 | 第54-55页 |
| 4.4 器件的阻变机理分析 | 第55-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 Pt/HfO_2/Al_2O_3/TiN阻变器件γ射线总剂量效应 | 第58-70页 |
| 5.1 引言 | 第58-59页 |
| 5.2 辐照实验设计 | 第59-62页 |
| 5.2.1 辐射效应对材料的损伤机制 | 第59-60页 |
| 5.2.2 辐射源选择 | 第60-61页 |
| 5.2.3 辐照实验设计 | 第61-62页 |
| 5.3 辐照前后的电阻转变特性 | 第62页 |
| 5.4 辐照前后的器件参数变化 | 第62-65页 |
| 5.4.1 开关电压变化 | 第62-64页 |
| 5.4.2 高低电阻值变化 | 第64-65页 |
| 5.5 辐照前后器件的保持特性及疲劳测试 | 第65-67页 |
| 5.5.1 保持特性测试 | 第65-66页 |
| 5.5.2 疲劳特性测试 | 第66-67页 |
| 5.6 辐照损伤机理分析 | 第67-68页 |
| 5.7 本章小结 | 第68-70页 |
| 第6章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 论文总结 | 第70页 |
| 6.2 论文展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 附录 A 个人简历 | 第79-80页 |
| 附录 B 攻读硕士学位期间发表论文与参加的会议目录 | 第80页 |
