首页--工业技术论文--金属学与金属工艺论文--金属学与热处理论文--金属腐蚀与保护、金属表面处理论文--金属电抛光及化学抛光论文

硅片复合粒子化学机械抛光试验研究

中文摘要第1-5页
英文摘要第5-7页
目录第7-10页
第一章 绪论第10-19页
   ·引言第10页
   ·CMP技术的发展第10-12页
     ·CMP技术简介第10-11页
     ·CMP技术的应用与发展第11-12页
   ·国内外研究现状第12-16页
     ·抛光模型的研究第12-13页
     ·抛光垫的研究第13-14页
     ·抛光液的研究第14-15页
     ·CMP技术的新进展第15-16页
   ·选题的背景和意义第16-18页
   ·课题来源及主要研究内容第18页
   ·本章小结第18-19页
第二章 单晶硅片CMP机理及影响因素第19-28页
   ·硅片CMP机理简介第19页
   ·硅片CMP过程的影响因素第19-26页
     ·抛光液第19-22页
     ·抛光压力第22-23页
     ·抛光垫第23-25页
     ·硅片性质第25-26页
   ·CP-CMP初步模型的建立第26-27页
   ·本章小结第27-28页
第三章 CP-CMP抛光液第28-43页
   ·聚合物微球简介第28页
   ·聚合物微球的选择条件第28-29页
   ·微球(微粒)在溶液中的分散第29-37页
     ·Zeta电位第29-31页
     ·扩散双电层理论第31-32页
     ·DLVO理论第32-34页
     ·氧化硅分散性机理解释第34-35页
     ·常用分散方法第35-36页
     ·微球分散的评价方法第36-37页
   ·聚合物微球的选择第37-38页
   ·抛光液中微球与磨粒相互作用情况分析第38-42页
     ·试验目的第38页
     ·试验条件及安排第38-39页
     ·试验结果与分析第39-42页
   ·本章小结第42-43页
第四章 硅片CP-CMP试验研究第43-64页
   ·试验设备及检测方法第43-46页
     ·试验设备及材料第43-45页
     ·检测设备及方法第45-46页
   ·CMP与CP-CMP比较试验第46-49页
     ·试验目的及其安排第46-47页
     ·试验结果及分析第47-49页
   ·CP-CMP试验计划第49-54页
     ·反复试验法第49-50页
     ·一次一因子实验法第50-51页
     ·全因子实验法第51页
     ·田口直(正)交表实验法(田口法)第51-54页
   ·CP-CMP田口试验法第54-58页
     ·田口直交试验安排第54-55页
     ·试验结果第55-56页
     ·最佳参数组合第56-58页
   ·不同试验条件下的CP-CMP技术第58-63页
     ·抛光盘粗糙度的影响第58-60页
     ·微球浓度的影响第60-62页
     ·结论第62-63页
   ·本章小结第63-64页
第五章 总结与展望第64-66页
   ·总结第64-65页
   ·展望第65-66页
参考文献第66-69页
致谢第69-70页
攻读学位期间参与的科研项目与发表的学术论文第70页

论文共70页,点击 下载论文
上一篇:轮机装备重要部件激光再制造的工艺与性能研究
下一篇:热解析与热裂解—气相色谱/质谱技术在药物和食品安全分析中的应用研究