| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第16-28页 |
| 1.1 选题意义 | 第16-23页 |
| 1.1.1 课题背景 | 第16页 |
| 1.1.2 太阳能电池吸收层材料的发展 | 第16-18页 |
| 1.1.3 铜锌锡硫作为薄膜太阳能电池吸收层材料的优势 | 第18-20页 |
| 1.1.4 保持相稳定性与设计相缺陷的重要性 | 第20-21页 |
| 1.1.5 铜锌锡硫相稳定性模拟计算的技术意义 | 第21-22页 |
| 1.1.6 模拟计算方法简介 | 第22-23页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第23-25页 |
| 1.2.1 通过模拟计算设计合金性能的研究现状 | 第23-24页 |
| 1.2.2 铜锌锡硫四元化合物及其相关模拟计算研究进展 | 第24-25页 |
| 1.3 课题研究意义 | 第25-28页 |
| 1.3.1 对铜锌锡硫合金相稳定性进行模拟计算的技术意义 | 第25-26页 |
| 1.3.2 固体与分子经验电子理论优势 | 第26-28页 |
| 第二章 理论基础与技术方案 | 第28-34页 |
| 2.1 理论基础介绍 | 第28页 |
| 2.2 关于原子状态的假定 | 第28页 |
| 2.3 关于不连续状态杂化的假定 | 第28-29页 |
| 2.4 关于键距的假定 | 第29页 |
| 2.5 等效价电子的假设 | 第29页 |
| 2.6 键距差法(BLD) | 第29-31页 |
| 2.6.1 基本思想 | 第29-30页 |
| 2.6.2 键距和键数 | 第30页 |
| 2.6.3 单键半距 | 第30页 |
| 2.6.4 r_α方程 | 第30页 |
| 2.6.5 I_α的计算 | 第30-31页 |
| 2.6.6 n_A方程 | 第31页 |
| 2.6.7 键距差判断 | 第31页 |
| 2.7 技术方案 | 第31-34页 |
| 第三章 铜锌锡硫合金价电子结构的计算 | 第34-66页 |
| 3.1 各杂相晶格参数、晶体结构 | 第34页 |
| 3.2 铜锌锡硫四元体系各相价电子结构的计算 | 第34-66页 |
| 3.2.1 计算方法 | 第34-36页 |
| 3.2.2 Cu价电子结构的计算 | 第36-38页 |
| 3.2.3 Zn价电子结构的计算 | 第38-41页 |
| 3.2.4 Sn价电子结构的计算 | 第41-44页 |
| 3.2.5 ZnS价电子结构的计算 | 第44-47页 |
| 3.2.6 SnS价电子结构的计算 | 第47-50页 |
| 3.2.7 CuS价电子结构的计算 | 第50-53页 |
| 3.2.8 CuZn价电子结构的计算 | 第53-56页 |
| 3.2.9 CZTS价电子结构的计算 | 第56-66页 |
| 第四章 铜锌锡硫合金体系的相稳定性与价电子结构的关系 | 第66-74页 |
| 4.1 基于价电子结构的热力学函数计算 | 第66-69页 |
| 4.1.1 单元相 | 第67-68页 |
| 4.1.2 二元相 | 第68-69页 |
| 4.2 根据最强键键能对相稳定性的判断 | 第69-70页 |
| 4.3 根据总键能对相稳定性的判断 | 第70-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章 贫铜富锌的CZTS的价电子结构与相稳定性的关系 | 第74-88页 |
| 5.1 单原子掺杂 | 第74-80页 |
| 5.2 双原子掺杂 | 第80-86页 |
| 5.3 本章小结 | 第86-88页 |
| 第六章 CZTS晶格空位缺陷对相稳定性的影响 | 第88-94页 |
| 第七章 结论 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-102页 |
| 附录一 碱金属、碱土金属与过渡族元素的n,δ和b值 | 第102-103页 |
| 附录二 类金属与部分金属元素的n,δ和b值 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 学术成果及发表的论文 | 第106-108页 |
| 作者和导师简介 | 第108-109页 |
| 附件 | 第109-110页 |
