| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·量子阱结构的基本特性 | 第11-15页 |
| ·量子阱半导体光放大器的数值分析与模拟方法 | 第15-17页 |
| ·本文的主要工作 | 第17-19页 |
| 2 量子阱半导体光放大器的能带结构 | 第19-37页 |
| ·模型的选取 | 第19-21页 |
| ·应变的计算 | 第21-22页 |
| ·带边不连续性 | 第22-24页 |
| ·能带计算 | 第24-35页 |
| ·本章小节 | 第35-37页 |
| 3 量子阱半导体光放大器的增益谱及线宽加强因子 | 第37-53页 |
| ·基本理论 | 第37-40页 |
| ·量子阱半导体光放大器的增益谱 | 第40-51页 |
| ·量子阱半导体光放大器的线宽加强因子 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 4 非对称多量子阱半导体光放大器的动态特性 | 第53-63页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·载流子的传输效应 | 第53-56页 |
| ·模型描述 | 第56-59页 |
| ·模拟结果与分析 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 5 全文总结与展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 附录1 二元材料参数值表 | 第70-71页 |
| 附录2 模拟参考参数值表 | 第71页 |