| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 插图索引 | 第10-12页 |
| 第1章 绪 论 | 第12-21页 |
| ·集成电路的发展与未来 | 第12-13页 |
| ·非挥发性Flash 存储器 | 第13-16页 |
| ·Flash 存储器的未来 | 第16-18页 |
| ·研究内容及论文结构 | 第18-21页 |
| ·本文研究内容 | 第18-19页 |
| ·论文结构 | 第19-21页 |
| 第2章 Flash 存储器的基本技术和工作原理 | 第21-32页 |
| ·Flash 的基本技术 | 第21-26页 |
| ·Flash 存储器简介 | 第21-22页 |
| ·NOR、NAND 和AND 技术 | 第22-25页 |
| ·替代技术 | 第25-26页 |
| ·Flash 存储器的工作原理 | 第26-27页 |
| ·Flash 存储器的数据存储管理 | 第27-31页 |
| ·基于页面的Flash 存储器操作 | 第28-29页 |
| ·Flash 文件系统的基本结构 | 第29页 |
| ·提高Flash 文件系统的可靠性 | 第29-30页 |
| ·降低Flash 文件系统的资源消耗 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 硅与锗/硅纳米结构浮栅Flash 存储器的设计 | 第32-45页 |
| ·纳米存储器的工作机理 | 第33-36页 |
| ·纳米结构简介 | 第33-34页 |
| ·纳米存储器的阈值偏移 | 第34-36页 |
| ·纳米存储器的主要设计模型 | 第36-39页 |
| ·单纳米岛纳米存储器模型 | 第36-37页 |
| ·纳米结构浮栅纳米存储器模型 | 第37页 |
| ·深陷阱电荷存储纳米存储器模型 | 第37-38页 |
| ·自准直双层堆叠纳米晶粒纳米存储器模型 | 第38页 |
| ·p 沟道纳米存储器模型 | 第38-39页 |
| ·硅纳米结构浮栅结构纳米存储器设计所面临的难题 | 第39-41页 |
| ·硅纳米结构浮栅结构纳米存储器的结构参数 | 第39页 |
| ·硅纳米结构浮栅结构纳米存储器的工作过程 | 第39-40页 |
| ·优化存储特性所遇到的问题 | 第40-41页 |
| ·锗/硅纳米结构浮栅纳米存储器的设计 | 第41-44页 |
| ·锗/硅纳米结构浮栅纳米存储器单元的设计 | 第41-42页 |
| ·锗/硅纳米结构浮栅纳米存储器单元的结构特点 | 第42-44页 |
| ·小 结 | 第44-45页 |
| 第4章 硅纳米结构浮栅纳米存储器的工作特性 | 第45-53页 |
| ·基于直接隧穿过程的电荷编程与保留问题研究 | 第45-49页 |
| ·硅纳米结构浮栅纳米存储器的电荷隧穿结构 | 第45-46页 |
| ·n 沟道硅纳米晶粒存储器的编程速度与保留时间研究 | 第46-48页 |
| ·p 沟道硅纳米晶粒存储器的编程速度与保留时间研究 | 第48-49页 |
| ·硅基纳米存储器工作过程的特征时间 | 第49-51页 |
| ·小 结 | 第51-53页 |
| 第5章 锗/硅纳米结构浮栅纳米存储器的存储特性 | 第53-64页 |
| ·n 沟道锗/硅纳米结构浮栅纳米存储器的工作过程 | 第53-56页 |
| ·n 沟道锗/硅纳米结构浮栅纳米存储器时间特性 | 第56-57页 |
| ·p 沟道锗/硅纳米结构浮栅纳米存储器的工作过程 | 第57-59页 |
| ·p 沟道锗/硅纳米结构浮栅纳米存储器时间特性 | 第59-61页 |
| ·锗/硅纳米结构浮栅纳米存储器的逻辑阵列结构 | 第61-62页 |
| ·小 结 | 第62-64页 |
| 第6章 结 论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
