| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-10页 |
| 第一章 序言 | 第10-26页 |
| ·酞菁配合物的发现与合成 | 第10-13页 |
| ·酞菁及其衍生物的性质 | 第13-15页 |
| ·酞菁配合物的谱学性质 | 第13-14页 |
| ·酞菁配合物的热稳定性 | 第14页 |
| ·酞菁配合物的光稳定性 | 第14-15页 |
| ·酞菁及其衍生物的应用进展 | 第15-19页 |
| ·甲巯咪唑的研究概况 | 第19页 |
| ·本文研究的选题依据及主要内容 | 第19-21页 |
| ·本文研究的选题依据 | 第19-20页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第20-21页 |
| ·参考文献 | 第21-26页 |
| 第二章 实验方法 | 第26-32页 |
| ·实验药品和试剂 | 第26-27页 |
| ·实验仪器 | 第27页 |
| ·实验方法 | 第27-28页 |
| ·电化学方法 | 第27-28页 |
| ·循环伏安法研究甲巯咪唑的电化学行为 | 第28页 |
| ·示差脉冲伏安法研究甲巯咪唑电化学行为并对其含量测定 | 第28页 |
| ·紫外可见光谱法对水溶液中 CoTsPc 与甲巯咪唑间反应的研究 | 第28页 |
| ·计算反应平衡常数的数据处理过程 | 第28-31页 |
| ·参考文献 | 第31-32页 |
| 第三章 酞菁钴配合物的合成、性质及表征 | 第32-47页 |
| ·酞菁钴配合物的合成 | 第32-33页 |
| ·无取代酞菁钴的合成 | 第32页 |
| ·四磺酸基酞菁钴的合成 | 第32-33页 |
| ·4-磺酸基邻苯二甲酸铵的合成 | 第32-33页 |
| ·四磺酸基酞菁钴的合成 | 第33页 |
| ·性质与表征 | 第33-44页 |
| ·酞菁的紫外吸收光谱 | 第33-34页 |
| ·酞菁的红外吸收光谱 | 第34-35页 |
| ·四磺酸基酞菁钴在水溶液中的性质 | 第35-44页 |
| ·四磺酸基酞菁钴在磷酸盐缓冲溶液中的聚集形态 | 第35-37页 |
| ·酸度对四磺酸基酞菁钴聚集形态的影响 | 第37-39页 |
| ·CTAB 对四磺酸基酞菁钴聚集形态的影响 | 第39-41页 |
| ·甲巯咪唑对四磺酸基酞菁钴紫外吸收光谱的影响 | 第41-43页 |
| ·四磺酸基酞菁钴的化学氧化 | 第43-44页 |
| ·结论 | 第44页 |
| ·参考文献 | 第44-47页 |
| 第四章 甲巯咪唑在酞菁钴修饰碳糊电极上的电化学行为其含量测定 | 第47-64页 |
| ·前言 | 第47-48页 |
| ·电极的制备 | 第48页 |
| ·电化学方法 | 第48-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-60页 |
| ·CoPc 修饰碳糊电极上甲巯咪唑的循环伏安行为 | 第49-50页 |
| ·CoPc 修饰碳糊电极上甲巯咪唑的示差脉冲伏安行为 | 第50-52页 |
| ·修饰剂含量对甲巯咪唑氧化峰电流的影响 | 第52页 |
| ·扫描速度对甲巯咪唑氧化峰电流的影响的影响 | 第52-54页 |
| ·pH 值对甲巯咪唑氧化峰电流的影响 | 第54-55页 |
| ·DPV 法对甲巯咪唑的测定 | 第55-60页 |
| ·富集电位和富集时间对甲巯咪唑氧化峰电流的影响 | 第55-56页 |
| ·线性范围及检出限 | 第56-58页 |
| ·回收率的测定 | 第58-59页 |
| ·电极重现性 | 第59-60页 |
| ·干扰实验 | 第60页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| ·参考文献 | 第61-64页 |
| 第五章 四磺酸基酞菁钴对甲巯咪唑的催化氧化机理及两者之间的反应 | 第64-77页 |
| ·前言 | 第64-65页 |
| ·结果与讨论 | 第65-74页 |
| ·表面活性剂存在下四磺酸基酞菁钴与甲巯咪唑之间的作用 | 第65-68页 |
| ·CTAB 浓度对反应的影响 | 第68-69页 |
| ·pH 值对四磺酸基酞菁钴与甲巯咪唑反应的影响 | 第69-70页 |
| ·甲巯咪唑浓度变化对反应的影响 | 第70-72页 |
| ·酸性条件下四磺酸基酞菁钴与甲巯咪唑之间的反应 | 第72-74页 |
| ·结论 | 第74-75页 |
| ·参考文献 | 第75-77页 |
| 第六章 结论 | 第77-78页 |
| 附录 | 第78-80页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
