| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·国内外研究历史及现状 | 第10-12页 |
| ·论文主要研究工作 | 第12-13页 |
| 第二章 影响真空中绝缘子性能的主要因素分析 | 第13-33页 |
| ·真空表面闪络的理论模型 | 第13-17页 |
| ·SEEA 理论模型 | 第13-16页 |
| ·ETPR 理论模型 | 第16-17页 |
| ·对SEEA、ETPR 两种理论模型的基本分析 | 第17页 |
| ·影响真空中绝缘子性能的主要因素分析 | 第17-31页 |
| ·三结点处真空间隙的影响 | 第17-18页 |
| ·绝缘材料的影响 | 第18-20页 |
| ·电极与绝缘子接触方式的影响 | 第20-21页 |
| ·绝缘子几何形状的影响 | 第21-26页 |
| ·电极结构的影响 | 第26-27页 |
| ·磁场及回流电子的影响 | 第27-29页 |
| ·绝缘结构表面处理 | 第29-30页 |
| ·其他因素的影响 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-33页 |
| 第三章 HGI 结构设计的理论研究及材料分析 | 第33-51页 |
| ·HGI 研究历史及现状 | 第33-35页 |
| ·国外关于HGI 的研究历史、现状及应用 | 第33-35页 |
| ·国内对HGI 的研究现状 | 第35页 |
| ·HGI 耐压机理分析 | 第35-36页 |
| ·HGI 制作方法 | 第36-38页 |
| ·HGI 结构设计的理论分析 | 第38-42页 |
| ·绝缘层厚度上限的理论估计 | 第38-41页 |
| ·绝缘层厚度下限的分析 | 第41页 |
| ·绝缘层与金属层厚度比例的研究 | 第41-42页 |
| ·金属层突出的长度的研究 | 第42页 |
| ·Kapton 材料性能研究 | 第42-50页 |
| ·Kapton 材料的生产历史 | 第43页 |
| ·Kapton 材料的制备工艺 | 第43-44页 |
| ·Kapton 材料化学结构及基本性能参数 | 第44-45页 |
| ·关于Kapton 用于高压绝缘材料时的优越性的讨论 | 第45-46页 |
| ·Kapton 材料二次电子发射系数随入射电子能量变化的关系曲线 | 第46-47页 |
| ·Mylar 材料与 Kapton 材料的性能比较 | 第47-48页 |
| ·Kapton 材料与其他常用绝缘材料的比较 | 第48-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第四章 HGI 结构设计模拟研究 | 第51-60页 |
| ·HGI 模拟研究的理论基础 | 第51页 |
| ·HGI 材料参数的选定 | 第51页 |
| ·模拟软件COMSOL Multiphysics 3.2 的简要介绍 | 第51-52页 |
| ·HGI 结构设计要达到的性能指标 | 第52页 |
| ·模型的建立 | 第52-55页 |
| ·初始模型及场分布模拟 | 第52-53页 |
| ·关于初步模拟的进一步分析 | 第53-55页 |
| ·模型的简化及网格结构的优化 | 第55页 |
| ·电子轨迹的数值模拟及局限性讨论 | 第55-57页 |
| ·+45°锥角结构的模拟与讨论 | 第57-58页 |
| ·模拟结果的讨论 | 第58页 |
| ·小结 | 第58-60页 |
| 第五章 总结和展望 | 第60-63页 |
| ·主要工作总结 | 第60-61页 |
| ·对今后工作的展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献表 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表(或录用)的论文 | 第68页 |
