| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 1 绪论 | 第10-33页 |
| ·前言 | 第10页 |
| ·透明导电薄膜研究现状 | 第10-22页 |
| ·二元透明导电薄膜 | 第10-13页 |
| ·多元及多元-多元复合体系透明导电薄膜 | 第13-14页 |
| ·室温沉积TCO薄膜 | 第14-15页 |
| ·p型透明导电薄膜研究现状 | 第15-19页 |
| ·透明电子器件 | 第19-22页 |
| ·透明导电薄膜中载流子的迁移率 | 第22-23页 |
| ·透明导电薄膜表面功函数的改性 | 第23-25页 |
| ·透明导电氧化物的第一性原理研究 | 第25-27页 |
| ·透明导电薄膜的制备方法及应用 | 第27-30页 |
| ·透明导电薄膜的制备方法 | 第27页 |
| ·透明导电薄膜的应用 | 第27-30页 |
| ·本课题的研究内容及意义 | 第30-33页 |
| 2 薄膜制备及表征方法 | 第33-39页 |
| ·制备方法及原理 | 第33-36页 |
| ·直流反应磁控溅射 | 第33-34页 |
| ·渠道火花烧蚀 | 第34-36页 |
| ·表征方法及原理 | 第36-39页 |
| ·薄膜透射率 | 第36页 |
| ·薄膜厚度 | 第36页 |
| ·薄膜电学测试 | 第36-37页 |
| ·薄膜微结构分析原理及方法 | 第37-39页 |
| 3 透明导电IMO薄膜的研究 | 第39-51页 |
| ·直流反应磁控溅射IMO薄膜的研究 | 第39-46页 |
| ·IMO薄膜的结构 | 第39-40页 |
| ·IMO薄膜的光电性能 | 第40-44页 |
| ·IMO薄膜的导电机理 | 第44-46页 |
| ·CSA生长IMO薄膜的研究 | 第46-50页 |
| ·实验方法 | 第47页 |
| ·CSA沉积IMO薄膜的晶体结构 | 第47-48页 |
| ·CSA沉积IMO薄膜的光电性质 | 第48-49页 |
| ·CSA沉积IMO薄膜的功函数 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 4 透明导电薄膜In_2O_3∶W的研究 | 第51-74页 |
| ·IWO薄膜结构及表面形貌 | 第51-58页 |
| ·IWO薄膜成分及化学位移 | 第58-59页 |
| ·IWO薄膜的电学特性 | 第59-65页 |
| ·IWO薄膜的光学特性 | 第65-72页 |
| ·沉积参数对IWO薄膜投射率的影响 | 第65-68页 |
| ·IWO薄膜的光学禁带宽度 | 第68-72页 |
| ·小结 | 第72-74页 |
| 5 直流反应磁控溅射室温沉积IMO薄膜 | 第74-81页 |
| ·室温沉积IMO薄膜结构特性 | 第74-76页 |
| ·室温沉积IMO薄膜的电学性能 | 第76-78页 |
| ·室温沉积IMO薄膜的光学性能 | 第78-80页 |
| ·小结 | 第80-81页 |
| 6 IWO薄膜表面功函数的改性 | 第81-88页 |
| ·实验方法 | 第81-82页 |
| ·IWO表面功函数的调制 | 第82-83页 |
| ·InO∶Pt,W/IWO薄膜的光电特性及物化结构 | 第83-87页 |
| ·小结 | 第87-88页 |
| 7 In_2O_3基透明导电薄膜的第一性原理研究 | 第88-97页 |
| ·密度泛函理论(Density Functional Theory DFT) | 第88-89页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第89-90页 |
| ·计算结果与讨论 | 第90-96页 |
| ·小结 | 第96-97页 |
| 8 p型透明半导体氧化物的研究 | 第97-107页 |
| ·p型透明导电氧化物靶材的制备 | 第97-101页 |
| ·p-SrCu_2O_2靶材的制备 | 第97-99页 |
| ·p-CuAlO_2靶材的制备 | 第99-100页 |
| ·p-CuFeO_2靶材的制备 | 第100-101页 |
| ·p型透明导电薄膜的制备 | 第101-105页 |
| ·p-SrCu_2O_2薄膜的制备 | 第101-103页 |
| ·p-CuAlO_2薄膜的制备 | 第103-104页 |
| ·p-CuFeO_2薄膜的制备 | 第104-105页 |
| ·小结 | 第105-107页 |
| 9 全文结论 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |