低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器设计
| 第1章 引言 | 第1-24页 |
| ·课题的意义 | 第10-11页 |
| ·CMOS 射频LNA 研究进展 | 第11-20页 |
| ·CMOS 放大器 | 第11-12页 |
| ·电感源极负反馈LNA 及其噪声优化方法 | 第12-14页 |
| ·低电压CMOS LNA | 第14-16页 |
| ·高线性CMOS LNA | 第16-19页 |
| ·寄生参数 | 第19-20页 |
| ·发展趋势 | 第20页 |
| ·本文的主要工作和贡献 | 第20-22页 |
| ·论文各部分的安排 | 第22-24页 |
| 第2章 MOSFET 器件的简化设计模型 | 第24-42页 |
| ·提要 | 第24页 |
| ·深亚微米MOSFET 器件物理 | 第24-31页 |
| ·一阶MOSFET 器件模型简述 | 第25-27页 |
| ·载流子迁移率的变化 | 第27-28页 |
| ·速度饱和效应 | 第28-29页 |
| ·沟道的分布参数效应 | 第29-31页 |
| ·简化的MOSFET 大信号和小信号模型 | 第31-34页 |
| ·深亚微米MOSFET 大信号模型 | 第31页 |
| ·深亚微米MOSFET 射频小信号模型 | 第31-34页 |
| ·简化的MOSFET 噪声模型 | 第34-38页 |
| ·MOSFET 沟道热噪声电流 | 第34-36页 |
| ·MOSFET 栅极感应热噪声电流 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| ·设计模型参数的提取 | 第38-41页 |
| ·参数提取的步骤 | 第38-39页 |
| ·模型验证 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第3章 CMOS LNA 的噪声及功耗优化设计 | 第42-67页 |
| ·提要 | 第42-43页 |
| ·一般LNA 的分析 | 第43-47页 |
| ·二端口网络的噪声 | 第43-44页 |
| ·几种LNA 结构性能比较 | 第44-47页 |
| ·源极电感负反馈LNA 设计 | 第47-52页 |
| ·电路结构 | 第47-49页 |
| ·电路噪声性能分析 | 第49-52页 |
| ·解析计算和仿真验证 | 第52-59页 |
| ·电路结构 | 第52-53页 |
| ·结果分析对比 | 第53-59页 |
| ·沟道电容与栅源电容 | 第59-62页 |
| ·迁移率模型参数的影响 | 第62-64页 |
| ·速度饱和与热载流子效应的影响 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第4章 CMOS LNA 的非线性及线性化 | 第67-100页 |
| ·提要 | 第67页 |
| ·对接收机线性度的要求 | 第67-69页 |
| ·CMOS LNA 的非线性分析 | 第69-83页 |
| ·幂级数分析 | 第69-74页 |
| ·Volterra 级数分析 | 第74-83页 |
| ·非线性补偿方法比较 | 第83-87页 |
| ·低电压非线性补偿LNA 电路 | 第87-99页 |
| ·补偿电路分析 | 第87-90页 |
| ·电路和验证方法描述 | 第90-91页 |
| ·仿真结果 | 第91-94页 |
| ·流片测试结果 | 第94-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 第5章 考虑寄生效应的 CMOS LNA 设计 | 第100-113页 |
| ·提要 | 第100-101页 |
| ·寄生效应模型 | 第101-105页 |
| ·焊盘寄生参数 | 第101-102页 |
| ·ESD 保护电路的寄生参数 | 第102-103页 |
| ·封装寄生参数 | 第103-105页 |
| ·寄生效应对LNA 性能的影响 | 第105-108页 |
| ·给定寄生参数下LNA 的设计 | 第108-110页 |
| ·考虑功耗的优化 | 第108-109页 |
| ·两种方法的比较 | 第109-110页 |
| ·仿真验证结果 | 第110-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 第6章 工作总结及建议 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-124页 |
| 致谢 | 第124页 |
| 声明 | 第124-125页 |
| 附录A 第3.3 节中噪声系数表达式的推导 | 第125-131页 |
| 附录B 第5.3 节中阻抗变换关系式的推导 | 第131-134页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第134页 |
