| 第1章 绪论 | 第1-22页 |
| 1．1 MEMS的研究概况 | 第10-12页 |
| 1．2 PZT薄膜的研究概况 | 第12-16页 |
| 1．3 Sol-Gel法概述 | 第16-17页 |
| 1．3．1 Sol-Gel法发展史 | 第16-17页 |
| 1．3．2 Sol-Gel技术的现状及应用 | 第17页 |
| 1．4 MEMS与PZT的集成 | 第17-20页 |
| 1．4．1 概述 | 第17-19页 |
| 1．4．2 制备PZT薄膜与MEMS集成需要解决的问题 | 第19-20页 |
| 1．5 本论文研究的目的及主要工作 | 第20-22页 |
| 1．5．1 目的与意义 | 第20-21页 |
| 1．5．2 主要工作 | 第21-22页 |
| 第2章 Sol-Gel法制备PZT粉 | 第22-37页 |
| 2．1 Sol-Gel技术基本原理 | 第22-23页 |
| 2．2 PZT粉的制备 | 第23-36页 |
| 2．2．1 原料的选取 | 第23-24页 |
| 2．2．2 PZT粉的制备工艺及主要技术参数 | 第24-36页 |
| 2．3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 锆钛酸铅PZT薄膜的制备 | 第37-52页 |
| 3．1 用溶胶凝胶法制备PZT薄膜的实验设备 | 第38页 |
| 3．2 薄膜制备的工艺研究 | 第38-50页 |
| 3．2．1 衬底、底电极、过渡层的选择与制备 | 第38-41页 |
| 3．2．2 稳定的PZT前驱体溶液的制备 | 第41-46页 |
| 3．2．3 成膜工艺的改进 | 第46-50页 |
| 3．3 本章小结 | 第50-52页 |
| 第4章 PZT薄膜铁电性能的研究 | 第52-60页 |
| 4．1 电滞回线 | 第52-55页 |
| 4．1．1 电滞回线原理 | 第52-53页 |
| 4．1．2 电滞回线的测定原理 | 第53-54页 |
| 4．1．3 剩余极化强度(Pr)和矫顽场强(Ec)的测定原理 | 第54-55页 |
| 4．1．4 电滞回线的测量及分析 | 第55页 |
| 4．2 介电常数 | 第55-59页 |
| 4．2．1 基本原理 | 第55-57页 |
| 4．2．2 介电常数的测量与分析 | 第57-59页 |
| 4．3 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 个人简历 | 第69页 |