| 第一章 绪论 | 第1-23页 |
| ·纳米技术 | 第9-10页 |
| ·纳米制造及加工技术 | 第10-15页 |
| ·纳米制造技术研究内容 | 第10-12页 |
| ·微细加工技术 | 第12-15页 |
| ·扫描隧道显微镜 | 第15-18页 |
| ·扫描隧道显微镜工作原理 | 第15-17页 |
| ·STM的组成 | 第17-18页 |
| ·原子力显微镜 | 第18-20页 |
| ·原子力显微镜组成及工作原理 | 第18-19页 |
| ·原子力显微镜的工作模式 | 第19-20页 |
| ·AFM场致氧化加工所具有的优点 | 第20-21页 |
| ·论文的选题背景及研究内容 | 第21-23页 |
| ·论文的选题背景 | 第21-22页 |
| ·研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 扫描探针电场加工理论 | 第23-36页 |
| ·扫描探测原理 | 第23页 |
| ·场致电子发射理论 | 第23-24页 |
| ·探针与样品之间的场致电子发射 | 第24-28页 |
| ·探针与样品之间的电场分布及模拟 | 第28-35页 |
| ·SPM扫描点阵加工方式 | 第31-33页 |
| ·SPM矢量加工方式 | 第33-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第三章 AFM的电场诱导阳极氧化理论 | 第36-48页 |
| ·阳极氧化理论 | 第36-37页 |
| ·AFM场致局部氧化加工 | 第37-38页 |
| ·大气环境下AFM电场诱导氧化加工机理 | 第38-40页 |
| ·大气环境下扫描探针场致加工的特点 | 第40-42页 |
| ·SI:H硅表面的电场氧化机理 | 第42-45页 |
| ·AFM氧化加工中的电容效应 | 第45-46页 |
| ·场致氧化加工中的其它可能存在的机理 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第四章 基于AFM的场致氧化加工的实现 | 第48-60页 |
| ·实验准备 | 第48-51页 |
| ·导电探针的选用 | 第49页 |
| ·样品的制备 | 第49-51页 |
| ·利用直流电压加工线结构 | 第51-53页 |
| ·脉冲调制下的AFM诱导生成氧化结构 | 第53-59页 |
| ·脉冲调制下的AFM诱导氧化加工点状结构 | 第53-55页 |
| ·利用脉冲电压加工线结构 | 第55-59页 |
| ·脉冲的频率对氧化线的影响 | 第56-57页 |
| ·脉冲频率的选择及电容效应的影响 | 第57-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| ·总结 | 第60页 |
| ·论文的创新点 | 第60-61页 |
| ·展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研项目与发表的学术论文目录 | 第66页 |