| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 引言 | 第11-23页 |
| ·尘埃等离子体简介 | 第11-15页 |
| ·尘埃等离子体定义 | 第11页 |
| ·尘埃等离子体研究概况 | 第11-13页 |
| ·材料表面处理加工中的尘埃等离子体 | 第13-15页 |
| ·薄膜太阳能电池制备工艺 | 第15-18页 |
| ·非晶硅薄膜沉积—射频PECVD | 第16页 |
| ·多晶硅或微晶硅薄膜沉积—甚高频PECVD | 第16-17页 |
| ·PECVD等离子体空间均匀性的控制 | 第17-18页 |
| ·硅烷放电的研究方法及现状 | 第18-21页 |
| ·硅烷放电的研究方法 | 第18-19页 |
| ·相关模拟研究进展 | 第19-20页 |
| ·相关实验研究进展 | 第20-21页 |
| ·待解决的问题及本文内容安排 | 第21-23页 |
| ·硅烷放电模拟研究中尚未解决的一些问题 | 第21页 |
| ·论文的整体内容安排 | 第21-23页 |
| 2 尘埃颗粒的形成机制、充电和受力分析 | 第23-33页 |
| ·尘埃颗粒的形成和生长 | 第23-25页 |
| ·成核阶段 | 第24页 |
| ·凝聚阶段 | 第24页 |
| ·表面生长阶段 | 第24-25页 |
| ·尘埃颗粒的充电 | 第25-29页 |
| ·轨道运动限制理论 | 第25-28页 |
| ·电容模型 | 第28-29页 |
| ·尘埃颗粒的受力 | 第29-31页 |
| ·电场力 | 第29-30页 |
| ·重力 | 第30页 |
| ·离子拖拽力 | 第30-31页 |
| ·中性粒子拖拽力 | 第31页 |
| ·热泳力 | 第31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 3 尘埃颗粒的成核过程 | 第33-53页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·模型描述 | 第34-44页 |
| ·化学反应 | 第34-35页 |
| ·尘埃颗粒的形成过程 | 第35-36页 |
| ·流体力学方程 | 第36-43页 |
| ·流体力学数值计算方法 | 第43-44页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第44-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 4 尘埃颗粒的凝聚过程 | 第53-64页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·凝聚过程的模拟方法 | 第53-56页 |
| ·流体力学模型及气态动力学模型 | 第53-55页 |
| ·流体力学模型及气态动力学模型耦合过程 | 第55-56页 |
| ·数值结果与讨论 | 第56-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 5 甚高频放电中尘埃颗粒形成过程的二维模拟 | 第64-77页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·二维模型描述 | 第65-66页 |
| ·计算结果与讨论 | 第66-76页 |
| ·纳米颗粒的生长过程 | 第66-68页 |
| ·上、下电极相位差对等离子体特性的影响 | 第68-70页 |
| ·上、下电极相位差对尘埃颗粒特性的影响 | 第70-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 6 一维低频脉冲及二维双频SiH_4/NH_3/N_2放电模拟 | 第77-93页 |
| ·SiH_4/NH_3/N_2放电的背景介绍 | 第77页 |
| ·—维低频脉冲SiH_4/NH_3/N_2放电模拟 | 第77-85页 |
| ·基本模型 | 第78-81页 |
| ·边界条件 | 第81页 |
| ·结果与讨论 | 第81-85页 |
| ·二维双频SiH_4/NH_3/N_2放电模拟 | 第85-92页 |
| ·二维模型概述 | 第85-86页 |
| ·结果与讨论 | 第86-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 结论 | 第93-95页 |
| 1 本文主要结论 | 第93页 |
| 2 工作展望 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-101页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第101-103页 |
| 创新点摘要 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |