| 1 绪论 | 第1-17页 |
| 1．1 SiGe材料的基本物理特性 | 第9-12页 |
| 1．2 现有在研究的SiGe器件 | 第12-15页 |
| 1．3 本文的研究对象和内容 | 第15-17页 |
| 2 理论分析 | 第17-29页 |
| 2．1 异质结电流输运理论 | 第17-23页 |
| 2．2 p~+（SiGe）-n~--n~+开关功率二极管结构及工作原理 | 第23-25页 |
| 2．3 PiN二极管的反向恢复 | 第25-27页 |
| 2．4 PiN二极管的正向压降 | 第27-29页 |
| 3 模型选取及模型参数的设定 | 第29-41页 |
| 3．1 能带结构模型 | 第29-30页 |
| 3．2 介电常数修正模型 | 第30页 |
| 3．3 应变SiGe合金的态密度模型 | 第30-32页 |
| 3．4 本征载流子浓度及禁带窄化模型 | 第32-34页 |
| 3．5 迁移率模型 | 第34-37页 |
| 3．6 少子寿命模型 | 第37-41页 |
| 4 模拟结果与分析 | 第41-58页 |
| 4．1 ⅰ基区渐变掺杂结构二极管特性 | 第41-48页 |
| 4．2 台面结构二极管特性 | 第48-53页 |
| 4．3 温度对SiGe开关功率二极管反向恢复特性的影响 | 第53-58页 |
| 5 器件参数优化设计 | 第58-66页 |
| 5．1 ⅰ基区渐变掺杂的优化设计 | 第58-61页 |
| 5．2 台面结构的优化设计 | 第61-66页 |
| 6 新型结构的实现可能性与展望 | 第66-71页 |
| 6．1 新型结构的实现可能性间接证明 | 第66-68页 |
| 6．2 主要结论及展望 | 第68-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 附录 | 第76页 |