1.绪论 | 第1-19页 |
·概述 | 第9页 |
·陶瓷/金属连接技术的发展 | 第9-17页 |
·现有焊接技术及存在问题 | 第9-11页 |
·场致扩散连接的研究进展 | 第11-12页 |
·陶瓷/金属场致扩散连接亟待解决的问题 | 第12-17页 |
·本项研究的主要内容和学术思想 | 第17-19页 |
2.硼硅酸盐玻璃与金属的场致扩散连接 | 第19-50页 |
·引言 | 第19页 |
·试验材料及试验方法 | 第19-22页 |
·试验材料的化学成分及性能 | 第19-20页 |
·试验方法及设备 | 第20-22页 |
·硼硅酸盐玻璃与金属连接的试验结果与分析 | 第22-47页 |
·界面离子流及其影响因素 | 第22-24页 |
·工艺参数对连接质量的影响 | 第24-32页 |
·钠硼硅玻璃与单晶硅连接界面的微观结构及其形成机制分析 | 第32-36页 |
·钠硼硅玻璃与铝及kovar合金连接的试验结果分析 | 第36-47页 |
·钠硼硅玻璃与金属连接界面过渡层形成分析 | 第47-48页 |
·接合界面的阳极氧化 | 第47页 |
·界面的氧化物固相反应 | 第47-48页 |
·本章小结 | 第48-50页 |
3.电解质陶瓷与金属的场致扩散连接 | 第50-73页 |
·引言 | 第50页 |
·试验材料及方法 | 第50-55页 |
·固体电解质陶瓷的物理化学性质 | 第50-55页 |
·试验方法及设备 | 第55页 |
·试验方法及设备 | 第55页 |
·试验结果与分析 | 第55-70页 |
·工艺参数对连接过程的影响 | 第55-59页 |
·陶瓷/Al结合界面微观组织分析 | 第59-67页 |
·陶瓷/金属结合强度分析 | 第67-70页 |
·电解质陶瓷与金属的结合机理分析 | 第70-72页 |
·离子迁移和界面氧化物形成 | 第70-71页 |
·界面固相扩散及氧化物化合接合 | 第71-72页 |
·本章小结 | 第72-73页 |
4 金属基复合材料SiCp/Al与金属(玻璃)的连接 | 第73-86页 |
·金属基复合材料的电子封装的应用 | 第73-74页 |
·电子封装材料的性能要求 | 第73页 |
·金属基复合材料在电子封装的应用 | 第73-74页 |
·金属基复合材料连接时的主要问题 | 第74-75页 |
·试验材料及试验方法 | 第75页 |
·SiCp/Al复合材料的制备 | 第75页 |
·试验方法及设备 | 第75页 |
·试验结果及分析 | 第75-84页 |
·工艺参数及连接质量 | 第75-78页 |
·结合界面的微观分析 | 第78-83页 |
·界面结合机理分析 | 第83-84页 |
·本章小结 | 第84-86页 |
5 场致扩散连接形成机理分析 | 第86-103页 |
·引言 | 第86页 |
·界面静电力及镜像吸附作用 | 第86-88页 |
·界面镜像吸附作用 | 第86-87页 |
·静电力及界面键合 | 第87-88页 |
·结合界面的固相化学反应及过渡区形成 | 第88-91页 |
·界面离子扩散及阳极氧化反应 | 第88-89页 |
·固相反应及过渡区形成 | 第89-91页 |
·界面离子扩散动力学分析 | 第91-96页 |
·扩散界面的边界条件 | 第91页 |
·界面扩散的动力学 | 第91-94页 |
·场致扩散连接条件下的界面扩散 | 第94-96页 |
·陶瓷(玻璃)/金属连接界面反应的热力学分析 | 第96-99页 |
·界面反应的Gibbs自由能及反应平衡常数 | 第96-97页 |
·界面反应过程的热力学分析 | 第97-99页 |
·讨论 | 第99-101页 |
·本章小结 | 第101-103页 |
6 接头残余应力对连接质量的影响 | 第103-115页 |
·引言 | 第103-104页 |
·关于陶瓷/金属扩散焊接头残余应力的分析 | 第104-112页 |
·陶瓷/金属扩散焊接头残余应力的分析方法 | 第104-107页 |
·FDB接头残余应力解析法分析 | 第107-111页 |
·实际接头应力计算 | 第111-112页 |
·讨论 | 第112-114页 |
·本章小结 | 第114-115页 |
7.结论 | 第115-117页 |
参考文献 | 第117-122页 |
独创性说明 | 第122-123页 |
致谢 | 第123-124页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文、专利、获奖等情况 | 第124-126页 |
主要符号表 | 第126页 |