| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第1章 前言 | 第12-14页 |
| 第2章 文献综述——ZnO材料及器件的研究现状 | 第14-50页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第14-20页 |
| ·晶体结构和能带结构 | 第15-17页 |
| ·电学性能 | 第17页 |
| ·光学性能 | 第17-18页 |
| ·其他性能 | 第18-20页 |
| ·ZnO发光二极管 | 第20-32页 |
| ·同质结发光二极管 | 第20-25页 |
| ·异质结发光二极管 | 第25-30页 |
| ·金属—绝缘层—半导体发光二极管 | 第30-32页 |
| ·ZnO紫外激光 | 第32-41页 |
| ·电子束抽运ZnO激光 | 第32页 |
| ·光抽运ZnO激光 | 第32-40页 |
| ·电抽运ZnO激光 | 第40-41页 |
| ·MgZnO合金材料与器件 | 第41-46页 |
| ·MgZnO合金材料研究进展 | 第42-43页 |
| ·MgZnO合金相关发光器件研究进展 | 第43-46页 |
| ·硅基ZnO发光器件的研究进展 | 第46-48页 |
| ·小结 | 第48-50页 |
| 第3章 硅基ZnO(MgZnO)薄膜和器件制备及薄膜表征 | 第50-70页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·ZnO(MgZnO)薄膜的制备及表征 | 第50-64页 |
| ·直流反应磁控溅射法制备ZnO(MgZnO)薄膜及表征 | 第51-58页 |
| ·溶胶—凝胶法制备ZnO(MgZnO)薄膜及表征 | 第58-64页 |
| ·器件制备工艺 | 第64-66页 |
| ·电子束蒸发和溶胶—凝胶法制备绝缘层 | 第64-65页 |
| ·电极制备 | 第65-66页 |
| ·用于制备薄膜的设备和测试仪器 | 第66-69页 |
| ·磁控溅射和电子束蒸发设备 | 第66-67页 |
| ·晶体结构、形貌与组成的表征仪器 | 第67页 |
| ·局部形貌和导电性表征仪器 | 第67-68页 |
| ·光学性能测试仪器 | 第68页 |
| ·电学性能测试仪器 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第4章 ZnO/Si和MgZnO/Si异质结的电致发光及载流子输运 | 第70-80页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·ZnO/Si和MgZnO/Si异质结制备 | 第71页 |
| ·ZnO/Si异质结的电致发光和电流—电压特性 | 第71-73页 |
| ·MgZnO/Si异质结的电致发光和电流—电压特性 | 第73-74页 |
| ·载流子输运特性及电致发光的机理 | 第74-79页 |
| ·平衡状态下ZnO/Si异质结的能带图 | 第75-76页 |
| ·ZnO/n~+-Si异质结 | 第76-77页 |
| ·ZnO/n~--Si异质结 | 第77页 |
| ·ZnO/p~+-Si异质结 | 第77-78页 |
| ·ZnO/p~--Si异质结 | 第78页 |
| ·MgZnO/Si异质结 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第5章 硅基ZnO(MgZnO)薄膜MIS器件的波长可调的紫外电致自发辐射发光 | 第80-93页 |
| ·引言 | 第80-81页 |
| ·硅基ZnO(MgZnO)薄膜MIS器件制备 | 第81页 |
| ·ZnO-MIS器件的载流子输运特性 | 第81-85页 |
| ·ZnO-MIS器件的纯紫外电致自发辐射发光及机理 | 第85-89页 |
| ·ZnO-MIS器件的纯紫外电致自发辐射发光 | 第86-87页 |
| ·ZnO-MIS器件的纯紫外电致自发辐射发光的机理 | 第87-89页 |
| ·MgZnO-MIS器件波长可调的纯紫外电致自发辐射发光 | 第89-91页 |
| ·基于非取向性生长的ZnO(MgZnO)薄膜的MIS器件的纯紫外电致自发辐射发光 | 第91-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 第6章 硅基ZnO(MgZnO)薄膜的室温电抽运紫外随机激光 | 第93-105页 |
| ·引言 | 第93-94页 |
| ·器件制备 | 第94页 |
| ·取向性生长的ZnO薄膜的室温电抽运随机激光 | 第94-102页 |
| ·厚度约为300nm的ZnO薄膜的电抽运随机激光 | 第94-98页 |
| ·厚度约为50nm的ZnO薄膜的电抽运随机激光 | 第98-100页 |
| ·ZnO薄膜产生电抽运随机激光的机理 | 第100-102页 |
| ·取向性生长的MgZnO薄膜的室温电抽运随机激光 | 第102-103页 |
| ·非取向性生长ZnO(MgZnO)薄膜的室温电抽运随机激光 | 第103-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 第7章 硅基MIS器件在高电场下激发的氮微等离子体发光 | 第105-112页 |
| ·引言 | 第105页 |
| ·器件制备 | 第105-106页 |
| ·MIS器件在高电场下的电致发光 | 第106-110页 |
| ·MIS器件在高电场下的电致发光的根源与机理 | 第110-111页 |
| ·本章小结 | 第111-112页 |
| 第8章 硅基ZnO(MgznO)薄膜的电场控制光致发光和电场诱导光抽运随机激光 | 第112-131页 |
| ·引言 | 第112-113页 |
| ·器件制备和EPL测试 | 第113-114页 |
| ·溅射法制备的ZnO(MgZnO)薄膜的EPL特性和机理 | 第114-123页 |
| ·ZnO薄膜的EPL特性 | 第114-118页 |
| ·ZnO薄膜的EPL的机理 | 第118-121页 |
| ·MgZnO薄膜的EPL特性 | 第121-123页 |
| ·ZnO(MgZnO)薄膜的电场诱导光抽运随机激光 | 第123-128页 |
| ·电场诱导光抽运随机激光现象 | 第123-125页 |
| ·电场诱导光抽运随机激光机理 | 第125-128页 |
| ·溶胶—凝胶法制备的ZnO薄膜的EPL特性和机理 | 第128-130页 |
| ·本章小结 | 第130-131页 |
| 第9章 总结 | 第131-136页 |
| 参考文献 | 第136-151页 |
| 攻读博士期间发表(提交)的论文和申请的专利 | 第151-153页 |
| 致谢 | 第153-154页 |
