脉冲激光沉积制备ZnO薄膜及其掺杂研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第10-11页 |
| ·ZnO 的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·ZnO 的光电特性 | 第12-15页 |
| ·ZnO 薄膜的发光机理 | 第15-16页 |
| ·绿光的发光机制 | 第15-16页 |
| ·其他光的发光机制 | 第16页 |
| ·ZnO 薄膜的掺杂研究 | 第16-19页 |
| ·n 型掺杂 | 第16-17页 |
| ·p 型掺杂 | 第17页 |
| ·未掺杂（控制气氛） | 第17-18页 |
| ·ZnO﹕N | 第18页 |
| ·ZnO﹕P | 第18页 |
| ·ZnO﹕As | 第18页 |
| ·施主受主共掺杂 | 第18-19页 |
| ·掺Er | 第19页 |
| ·ZnO 的广泛应用 | 第19-21页 |
| ·制作紫外光探测器 | 第19-20页 |
| ·可与GaN 互作缓冲层 | 第20页 |
| ·用于光电器件的单片集成 | 第20页 |
| ·制作表面声波器件 | 第20-21页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第21-26页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第21-22页 |
| ·金属有机化学气相沉积（MOCVD） | 第22-23页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第23页 |
| ·溅射（Sputter） | 第23-24页 |
| ·原子层外延（ALE） | 第24-25页 |
| ·溶胶凝胶法（Sol-gel） | 第25页 |
| ·喷射热分解法(Spray pyrolysis) | 第25页 |
| ·电子束蒸发 | 第25-26页 |
| ·本人所做的工作 | 第26-27页 |
| 第二章 实验方法及工艺研究 | 第27-45页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD）概述 | 第27-28页 |
| ·PLD 的基本原理 | 第28-30页 |
| ·激光与靶相互作用及等离子体的气化、产生及膨胀 | 第28-29页 |
| ·激光等离子体与基片表面的相互作用 | 第29-30页 |
| ·在衬底表面凝结成膜 | 第30页 |
| ·PLD 特点 | 第30-31页 |
| ·PLD 技术的优点 | 第30-31页 |
| ·PLD 技术的缺点 | 第31页 |
| ·PLD 薄膜生长实验设备简介 | 第31-34页 |
| ·ZnO 薄膜的制备工艺 | 第34-37页 |
| ·ZnO 薄膜的生长方式和衬底的选择 | 第34-35页 |
| ·靶材烧结 | 第35页 |
| ·生长过程 | 第35-37页 |
| ·ZnO 薄膜的表征手段和分析方法 | 第37-45页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第37-40页 |
| ·扫描电子显微术与原子力显微术 | 第40-41页 |
| ·光致发光测试分析 | 第41-42页 |
| ·霍尔（Hall）测量 | 第42-45页 |
| 第三章 高质量的ZnO 薄膜制备与特性分析 | 第45-61页 |
| ·衬底温度对ZnO 薄膜的影响 | 第45-50页 |
| ·实验过程 | 第46-47页 |
| ·XRD 分析 | 第47-48页 |
| ·AFM 分析 | 第48-49页 |
| ·荧光谱分析 | 第49-50页 |
| ·环境氧压对ZnO 薄膜的影响 | 第50-56页 |
| ·实验过程 | 第51页 |
| ·XRD 分析 | 第51-52页 |
| ·AFM 分析 | 第52-53页 |
| ·荧光谱分析 | 第53-54页 |
| ·霍尔（Hall）测试 | 第54-56页 |
| ·激光频率对ZnO 薄膜的影响 | 第56-60页 |
| ·实验过程 | 第56页 |
| ·XRD 分析 | 第56-58页 |
| ·SEM 分析 | 第58-59页 |
| ·荧光谱分析 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第四章 Al 掺杂 ZnO 薄膜的性能测试 | 第61-67页 |
| ·实验过程 | 第61页 |
| ·AZO 薄膜的X-射线衍射(XRD)谱 | 第61-63页 |
| ·SEM 分析 | 第63-64页 |
| ·AZO 薄膜的电学性质 | 第64-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 第五章 结论与展望 | 第67-69页 |
| ·结论 | 第67-68页 |
| ·展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
