氧化对硅锗合金低维结构PL发光的影响
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-11页 |
| 第二章 硅锗合金材料的基本性质 | 第11-23页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·硅锗合金的晶体结构和晶格常数 | 第11-13页 |
| ·硅锗合金的能带结构 | 第13-15页 |
| ·硅锗合金层内的应力 | 第15-18页 |
| ·硅锗合金的输运特性 | 第18-19页 |
| ·硅锗合金的光学性质 | 第19-23页 |
| ·Raman光谱 | 第19-21页 |
| ·光致发光谱 | 第21-23页 |
| 第三章 样品制备与检测装置 | 第23-31页 |
| ·样品制备装置 | 第23-26页 |
| ·脉冲激光辐照装置 | 第23-24页 |
| ·激光辐照电化学刻蚀装置 | 第24-25页 |
| ·退火氧化装置 | 第25-26页 |
| ·分析测试装置 | 第26-31页 |
| ·扫描隧穿显微镜 | 第26页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第26-28页 |
| ·微区激光拉曼/荧光光谱仪 | 第28-31页 |
| 第四章 氧化生成硅锗合金低维结构的研究 | 第31-38页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·实验 | 第31-37页 |
| ·脉冲激光辐照法 | 第31-33页 |
| ·样品制备 | 第31页 |
| ·低维结构的检测与分析 | 第31-33页 |
| ·高温退火氧化后低维结构的变化 | 第33页 |
| ·激光辅助电化学刻蚀法 | 第33-37页 |
| ·样品制备 | 第33-34页 |
| ·低维结构的检测与分析 | 第34-36页 |
| ·高温退火氧化后低维结构的变化 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第五章 氧化生成硅锗合金低维结构的PL发光研究 | 第38-44页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·硅锗合金低维结构PL光谱分析 | 第38-41页 |
| ·脉冲激光制备样品对应的PL光谱分析 | 第38-39页 |
| ·激光辅助电化学刻蚀法制备样品对应的PL光谱分析 | 第39-41页 |
| ·高温退火氧化前后样品的PL光谱比较 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第六章 氧化生成硅锗低维结构PL发光的机理解释 | 第44-51页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·氧化界面态模型 | 第45-47页 |
| ·分析与讨论 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 第七章 总结与展望 | 第51-55页 |
| ·总结 | 第51-52页 |
| ·展望 | 第52-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 附录:硕士期间主持项目及论文发表情况 | 第61-62页 |
