| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-10页 |
| Abstract | 第10-17页 |
| 第1章 前言 | 第17-20页 |
| 第2章 文献综述 | 第20-47页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·铜在晶体硅中的基本性质 | 第21-29页 |
| ·单晶硅的生长技术 | 第21-24页 |
| ·铜在晶体硅中的价电子排布 | 第24页 |
| ·铜在晶体硅中的固溶度 | 第24-26页 |
| ·铜在晶体硅中的扩散 | 第26-29页 |
| ·铜在晶体硅中的反应 | 第29-40页 |
| ·铜与点缺陷的反应 | 第29-31页 |
| ·铜在晶体硅中的沉淀行为 | 第31-36页 |
| ·铜缀饰晶体硅中缺陷 | 第36-37页 |
| ·铜在晶体硅中的外扩散行为 | 第37-38页 |
| ·铜在重掺p型晶体硅中的吸杂行为 | 第38-40页 |
| ·铜对硅片或器件电学性能的影响 | 第40-45页 |
| ·铜对硅片少子寿命的影响 | 第40-43页 |
| ·铜对p-n结漏电流的影响 | 第43-44页 |
| ·铜对栅极氧化层完整性的影响 | 第44-45页 |
| ·本文研究方向的提出 | 第45-47页 |
| 第3章 实验样品和研究方法 | 第47-54页 |
| ·实验样品与样品制备 | 第47-49页 |
| ·实验样品 | 第47-48页 |
| ·硅样品制备 | 第48-49页 |
| ·研究方法 | 第49-54页 |
| ·热处理设备 | 第49-50页 |
| ·测试方法和设备 | 第50-54页 |
| 第4章 点缺陷对直拉单晶硅中铜沉淀及其复合活性的影响 | 第54-76页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·实验 | 第55-57页 |
| ·自间隙硅原子对n型直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第57-62页 |
| ·自间隙硅原子对铜沉淀的影响 | 第57-58页 |
| ·热处理温度对球状和团聚状铜沉淀的影响 | 第58-59页 |
| ·热处理冷却速度对球状和团聚状铜沉淀的影响 | 第59-60页 |
| ·自间隙硅原子对铜沉淀的影响机理 | 第60-62页 |
| ·空位对n型直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第62-67页 |
| ·空位对铜沉淀的影响 | 第62-64页 |
| ·热处理温度对团聚状铜沉淀的影响 | 第64页 |
| ·热处理冷却速度对团聚状铜沉淀的影响 | 第64-65页 |
| ·空位对铜沉淀的影响机理 | 第65-67页 |
| ·点缺陷对直拉单晶硅中铜沉淀复合活性的影响 | 第67-70页 |
| ·有效少子寿命倒数的物理意义 | 第67-68页 |
| ·点缺陷对铜沉淀复合活性的影响 | 第68页 |
| ·点缺陷对铜沉淀复合活性的作用机理 | 第68-70页 |
| ·点缺陷对直拉单晶硅中铜相关深能级的影响 | 第70-74页 |
| ·点缺陷对铜相关深能级的影响 | 第70-73页 |
| ·铜相关深能级的电学性能 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第5章 氧沉淀对直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第76-87页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·实验 | 第77页 |
| ·单步退火引入的氧沉淀对铜沉淀的影响 | 第77-82页 |
| ·不同温度下16h退火引入的氧沉淀对铜沉淀的影响 | 第77-80页 |
| ·950℃下不同时间退火引入的氧沉淀对铜沉淀的影响 | 第80-82页 |
| ·低-高两步退火引入的氧沉淀对铜沉淀的影响 | 第82-83页 |
| ·氧沉淀对铜杂质的吸杂效果 | 第83-84页 |
| ·氧沉淀对铜沉淀的影响机理 | 第84-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 第6章 氮掺杂对直拉单晶硅中铜沉淀及其复合活性的影响 | 第87-105页 |
| ·引言 | 第87-88页 |
| ·实验 | 第88-90页 |
| ·氮掺杂对直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第90-92页 |
| ·氮掺杂对铜沉淀的影响 | 第90页 |
| ·氮掺杂对铜沉淀的作用机理 | 第90-92页 |
| ·掺氮直拉单晶硅不同缺陷区的铜沉淀 | 第92-94页 |
| ·掺氮直拉单晶硅不同缺陷区的确定 | 第92页 |
| ·掺氮直拉单晶硅不同缺陷区的铜沉淀 | 第92-93页 |
| ·掺氮直拉单晶硅不同缺陷区铜沉淀的形成机理 | 第93-94页 |
| ·热处理条件对掺氮直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第94-97页 |
| ·热处理温度对铜沉淀的影响 | 第94-96页 |
| ·热处理冷却速度对铜沉淀的影响 | 第96页 |
| ·热处理气氛对铜沉淀的影响 | 第96-97页 |
| ·点缺陷对掺氮直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第97-99页 |
| ·空位对铜沉淀的影响 | 第97-98页 |
| ·自间隙硅原子对铜沉淀的影响 | 第98-99页 |
| ·氮掺杂对直拉单晶硅中铜沉淀复合活性的影响 | 第99-103页 |
| ·氮掺杂对铜沉淀复合活性的影响 | 第99-101页 |
| ·热处理条件对硅中铜沉淀复合活性的影响 | 第101-103页 |
| ·本章小结 | 第103-105页 |
| 第7章 高浓度n型掺杂剂对直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第105-130页 |
| ·引言 | 第105-106页 |
| ·实验 | 第106-108页 |
| ·高浓度n型掺杂剂对直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第108-113页 |
| ·消除原生缺陷的重掺n型直拉单晶硅中铜沉淀 | 第108-109页 |
| ·原生重掺n型直拉单晶硅中铜沉淀 | 第109-111页 |
| ·重掺n型直拉单晶硅中铜沉淀的形成机理 | 第111-113页 |
| ·热处理条件对重掺n型直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第113-116页 |
| ·热处理温度对铜沉淀的影响 | 第113-115页 |
| ·热处理冷却速度对铜沉淀的影响 | 第115-116页 |
| ·热处理气氛对铜沉淀的影响 | 第116页 |
| ·点缺陷对重掺n型直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第116-119页 |
| ·空位对铜沉淀的影响 | 第116-118页 |
| ·自间隙硅原子对铜沉淀的影响 | 第118-119页 |
| ·重掺n型直拉单晶硅中铜沉淀的热稳定性 | 第119-122页 |
| ·重掺磷直拉单晶硅中铜沉淀的热稳定性 | 第119-121页 |
| ·重掺砷直拉单晶硅中铜沉淀的热稳定性 | 第121-122页 |
| ·n/n~+硅外延片中的铜吸杂 | 第122-128页 |
| ·原生n/n~+硅外延片中的铜吸杂 | 第122-125页 |
| ·消除原生缺陷的n/n~+硅外延片中的铜吸杂 | 第125-126页 |
| ·热处理冷却速度对n/n~+硅外延片中铜吸杂的影响 | 第126-128页 |
| ·本章小结 | 第128-130页 |
| 第8章 重掺硼对直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第130-145页 |
| ·引言 | 第130-131页 |
| ·实验 | 第131-132页 |
| ·重掺硼对直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第132-134页 |
| ·重掺硼对铜沉淀的影响 | 第132-133页 |
| ·重掺硼直拉单晶硅中铜沉淀的形成机理 | 第133-134页 |
| ·热处理条件对重掺硼直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第134-136页 |
| ·热处理温度对铜沉淀的影响 | 第134-135页 |
| ·热处理冷却速度对铜沉淀的影响 | 第135-136页 |
| ·点缺陷对重掺硼直拉单晶硅中铜沉淀的影响 | 第136-138页 |
| ·空位对铜沉淀的影响 | 第136-137页 |
| ·自间隙硅原子对铜沉淀的影响 | 第137-138页 |
| ·重掺硼直拉单晶硅中铜沉淀的热稳定性 | 第138-142页 |
| ·重掺硼直拉单晶硅中铜沉淀的消融行为 | 第138-140页 |
| ·轻掺硼直拉单晶硅中团聚状铜沉淀的消融行为 | 第140-141页 |
| ·重掺硼直拉单晶硅中铜沉淀热稳定性的机理解释 | 第141-142页 |
| ·p/p~+硅外延片中的铜吸杂 | 第142-143页 |
| ·p/p~+硅外延片中的铜沉淀 | 第142页 |
| ·热处理冷却速度对p/p~+硅外延片中铜沉淀的影响 | 第142-143页 |
| ·本章小结 | 第143-145页 |
| 第9章 总结 | 第145-149页 |
| 参考文献 | 第149-167页 |
| 作者简介 | 第167-168页 |
