| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 序 | 第9-12页 |
| 1 绪论 | 第12-23页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·OTFT器件结构 | 第13-17页 |
| ·顶栅极结构 | 第14页 |
| ·底栅极结构 | 第14-15页 |
| ·顶接触结构 | 第15页 |
| ·底接触结构 | 第15-16页 |
| ·双栅结构 | 第16-17页 |
| ·垂直结构 | 第17页 |
| ·有机薄膜晶体管材料 | 第17-21页 |
| ·有机半导体材料 | 第18-19页 |
| ·绝缘材料 | 第19-20页 |
| ·界面修饰材料 | 第20-21页 |
| ·电极材料 | 第21页 |
| ·衬底材料 | 第21页 |
| ·有机薄膜晶体管存在问题及发展目标 | 第21-22页 |
| ·本论文的研究内容 | 第22-23页 |
| 2 OTFT相关电学理论 | 第23-28页 |
| ·有机薄膜晶体管的工作机理 | 第23-24页 |
| ·有机薄膜晶体管的性能表征 | 第24-25页 |
| ·有机薄膜晶体管中载流子的注入 | 第25页 |
| ·有机薄膜晶体管中载流子的传输 | 第25-28页 |
| 3 有机薄膜的形成机理及器件构筑工艺 | 第28-42页 |
| ·有机薄膜生长进程 | 第28-29页 |
| ·有机薄膜的生长模式 | 第29-31页 |
| ·器件构筑工艺与制备 | 第31-42页 |
| ·衬底的清洗和预处理 | 第31-33页 |
| ·成膜工艺的介绍 | 第33-36页 |
| ·实验中涉及的设备 | 第36-42页 |
| 4 以不同方式制备的SiO_2为绝缘层的OTFT研究 | 第42-51页 |
| ·实验部分 | 第42-44页 |
| ·测试 | 第44-46页 |
| ·结果分析 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 5 氟化锂作修饰层的OTFT研究 | 第51-57页 |
| ·实验部分 | 第52-53页 |
| ·结果与分析 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 6 G-PEDOT/PSS作源漏电极的OTFT研究 | 第57-62页 |
| ·实验部分 | 第58-60页 |
| ·实验结果与分析 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 7 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 作者简历 | 第67-69页 |
| 学位论文数据集 | 第69页 |