纳米晶浮栅结构先进存储器的研究与模拟
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·研究背景与意义 | 第9页 |
| ·非易失性存储器介绍 | 第9-13页 |
| ·非易失性存储器的未来 | 第13-16页 |
| ·传统浮栅器件面临的问题 | 第13-15页 |
| ·非易失性存储器未来的发展方向 | 第15-16页 |
| ·论文结构及内容安排 | 第16-18页 |
| 第二章 非易失性存储器工作原理 | 第18-35页 |
| ·阈值电压分析 | 第18-21页 |
| ·读出机制 | 第21-23页 |
| ·编程和擦除机制 | 第23-31页 |
| ·带间电子穿隧模型 | 第23-24页 |
| ·直接隧穿模型 | 第24-25页 |
| ·Fowler-Nordheim 电子隧穿 | 第25-28页 |
| ·沟道热电子注入 | 第28-31页 |
| ·非易失性存储器的可靠性 | 第31-33页 |
| ·数据保持能力 | 第31-32页 |
| ·耐受性 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 纳米晶浮栅存储器的发展和工作机理 | 第35-51页 |
| ·纳米晶存储器的各种模型设计 | 第36-41页 |
| ·纳米晶与介质层的制备 | 第41-43页 |
| ·纳米晶的制备 | 第41-42页 |
| ·介质层 | 第42-43页 |
| ·纳米晶存储器的基本工作机理 | 第43-50页 |
| ·量子力学原理 | 第43-47页 |
| ·纳米结构浮栅存储器的工作过程 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 器件仿真 | 第51-62页 |
| ·SILVACO TCAD 系统综述 | 第51-52页 |
| ·工艺仿真 | 第52-55页 |
| ·Athena 简介 | 第52页 |
| ·器件制作 | 第52-55页 |
| ·器件仿真 | 第55-61页 |
| ·Atlas 简介 | 第55-56页 |
| ·器件仿真 | 第56-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 器件优化 | 第62-74页 |
| ·选择合适的编程机制 | 第62-69页 |
| ·器件结构对存储特性的影响 | 第69-73页 |
| ·纳米晶的数量对器件性能的影响 | 第69-70页 |
| ·纳米晶的大小对器件性能的影响 | 第70-72页 |
| ·纳米晶的分布对器件性能的影响 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 阵列研究 | 第74-85页 |
| ·NOR 型阵列结构 | 第74-76页 |
| ·NOR 技术简介 | 第74-75页 |
| ·NOR 阵列基本原理 | 第75-76页 |
| ·NAND 型阵列结构 | 第76-78页 |
| ·NAND 技术简介 | 第76-77页 |
| ·NAND 阵列基本原理 | 第77-78页 |
| ·NOR 与NAND 阵列比较 | 第78-79页 |
| ·扰动分析 | 第79-82页 |
| ·字线扰动 | 第79-80页 |
| ·位线扰动 | 第80-81页 |
| ·读取扰动和过擦写 | 第81-82页 |
| ·对扰动的仿真 | 第82-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 第七章 总结 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-93页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第93-94页 |
