| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-28页 |
| ·半导体光电探测器 | 第12-25页 |
| ·半导体光电探测器特性参数 | 第13-18页 |
| ·半导体光电探测器的噪声 | 第18-20页 |
| ·半导体光电探测器的种类 | 第20-25页 |
| ·半导体紫外光电探测器 | 第25-27页 |
| ·本论文研究内容 | 第27-28页 |
| 第2章 紫外探测器制备设备、工艺和测试系统 | 第28-46页 |
| ·半导体紫外探测器薄膜制备设备 | 第28-34页 |
| ·真空蒸镀设备系统 | 第28-29页 |
| ·电子束蒸发系统 | 第29-31页 |
| ·射频磁控溅射 | 第31-33页 |
| ·金属有机化学气相沉积（MOCVD） | 第33-34页 |
| ·半导体紫外探测器器件制备工艺 | 第34-37页 |
| ·金属薄膜电极的蒸镀 | 第34-35页 |
| ·湿法刻蚀及剥离工艺 | 第35-37页 |
| ·半导体薄膜性质表征手段 | 第37-43页 |
| ·X 射线衍射谱 | 第37-38页 |
| ·透射和吸收光谱测试 | 第38-40页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第40-41页 |
| ·能量色散谱仪（EDS） | 第41页 |
| ·霍尔效应测量 | 第41-43页 |
| ·半导体紫外探测器性能参数测试手段 | 第43-45页 |
| ·探测器光谱响应测试系统 | 第43-44页 |
| ·响应时间测量系统 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第3章 电子束制备高 Mg 组分立方 MgZnO 薄膜 | 第46-52页 |
| ·MgZnO 薄膜制备 | 第47-48页 |
| ·薄膜表征 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 电子束制备立方 MgNiO 薄膜及 MSM 结构紫外探测器特性 | 第52-58页 |
| ·薄膜制备与表征 | 第52-55页 |
| ·光导型MSM 结构紫外探测器的制备和特性 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第5章 Au/ZnO/Al 垂直结构紫外探测器的制备与特性 | 第58-68页 |
| ·肖特基光电二极管工作原理 | 第58-61页 |
| ·薄膜制备与表征 | 第61-63页 |
| ·肖特基型Au/ZnO/Al 结构紫外探测器的制备和特性 | 第63-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第6章 Au/MgZnO/AlZnO 垂直结构紫外探测器的制备与特性 | 第68-76页 |
| ·薄膜制备与表征 | 第70-72页 |
| ·肖特基型Au/MgZnO/AlZnO 结构紫外探测器的制备和特性 | 第72-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 第7章 MSM 结构 MgZnO 紫外探测器的制备与特性 | 第76-88页 |
| ·肖特基型结构探测器的理论 | 第76-81页 |
| ·Mg_(0.47)Zn_(0.53)O 薄膜制备与表征 | 第81-83页 |
| ·肖特基型MSM 结构紫外探测器的制备和特性 | 第83-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第8章 结论与展望 | 第88-90页 |
| ·论文总结 | 第88-89页 |
| ·展望 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-98页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第98-100页 |
| 指导教师及作者简介 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
