| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第11-12页 |
| 2 绪论 | 第12-36页 |
| 2.1 自旋电子学简介 | 第12-20页 |
| 2.1.1 从传统磁学到自旋电子学 | 第12-15页 |
| 2.1.2 自旋电子学的产生与发展 | 第15-17页 |
| 2.1.3 自旋电子学应用举例 | 第17-20页 |
| 2.2 自旋电子学的一些基本现象 | 第20-36页 |
| 2.2.1 自旋流输运 | 第21-23页 |
| 2.2.2 自旋霍尔效应 | 第23-25页 |
| 2.2.3 自旋塞贝克效应 | 第25-30页 |
| 2.2.4 自旋霍尔磁电阻效应 | 第30-36页 |
| 3 材料制备与表征方法 | 第36-55页 |
| 3.1 薄膜制备与器件加工 | 第36-45页 |
| 3.1.1 脉冲激光沉积 | 第36-38页 |
| 3.1.2 磁控溅射 | 第38-40页 |
| 3.1.3 分子束外延 | 第40-42页 |
| 3.1.4 紫外曝光和氩离子刻蚀 | 第42-45页 |
| 3.2 样品结构和性能的表征 | 第45-55页 |
| 3.2.1 反射高能电子衍射 | 第45-47页 |
| 3.2.2 X射线衍射和X射线反射率 | 第47-48页 |
| 3.2.3 振动样品磁强计和超导量子干涉仪 | 第48-50页 |
| 3.2.4 磁光克尔测试系统 | 第50-53页 |
| 3.2.5 磁电输运测试系统 | 第53-55页 |
| 4 非共线铁磁绝缘体GdIG/Pt中自旋霍尔磁电阻 | 第55-70页 |
| 4.1 研究背景 | 第55-56页 |
| 4.2 研究体系——钆铁石榴石(GdIG) | 第56-58页 |
| 4.3 实验方法 | 第58-59页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第59-68页 |
| 4.4.1 GdIG外延薄膜的晶体结构表征 | 第59-60页 |
| 4.4.2 GdIG/Pt异质结自旋霍尔磁电阻随温度的变化 | 第60-67页 |
| 4.4.3 GdIG/Pt异质结自旋霍尔磁电阻随磁场强度的变化 | 第67-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-70页 |
| 5 外延γ-Fe_2O_3/NiO体系自旋霍尔磁电阻的研究 | 第70-83页 |
| 5.1 研究背景 | 第70-73页 |
| 5.2 研究体系 | 第73页 |
| 5.3 实验方法 | 第73-75页 |
| 5.4 结果与讨论 | 第75-82页 |
| 5.4.1 γ-Fe_2O_3/NiO外延异质结的晶体结构表征 | 第75-76页 |
| 5.4.2 γ-Fe_2O_3/Pt异质结的自旋霍尔磁电阻 | 第76-77页 |
| 5.4.3 γ-Fe_2O_3/NiO/Pt异质结自旋霍尔磁电阻随NiO厚度的变化 | 第77-80页 |
| 5.4.4 γ-Fe_2O_3/NiO/Pt异质结自旋霍尔磁电阻随温度的变化 | 第80-82页 |
| 5.5 本章小结 | 第82-83页 |
| 6 Co基单晶外延异质结体系的自旋相关输运研究 | 第83-101页 |
| 6.1 背景介绍 | 第83-85页 |
| 6.2 研究体系 | 第85-86页 |
| 6.3 外延薄膜材料生长 | 第86-87页 |
| 6.4 单晶外延PtMn/Co体系的磁电输运研究 | 第87-94页 |
| 6.4.1 实验方法 | 第87-88页 |
| 6.4.2 结果与讨论 | 第88-94页 |
| 6.5 全单晶外延Pt/Co体系自旋霍尔效应研究 | 第94-100页 |
| 6.5.1 实验方法 | 第94-96页 |
| 6.5.2 结果与讨论 | 第96-100页 |
| 6.6 本章小结 | 第100-101页 |
| 7 结论 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-125页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第125-129页 |
| 学位论文数据集 | 第129页 |
