有机化合物宏观晶体缺陷形成机理及关键影响因素研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-17页 |
| 1.1 晶体缺陷 | 第7-10页 |
| 1.1.1 点缺陷 | 第8-9页 |
| 1.1.2 线缺陷 | 第9-10页 |
| 1.2 宏观晶体缺陷 | 第10-12页 |
| 1.3 国内外研究进展 | 第12-14页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第14-17页 |
| 第二章 硫脲晶体中三种类型晶体缺陷研究 | 第17-37页 |
| 2.1 引言 | 第17-19页 |
| 2.1.1 晶体中液态包藏体对结晶的影响 | 第17页 |
| 2.1.2 包裹体分析表征手段 | 第17-18页 |
| 2.1.3 硫脲的应用及晶体结构 | 第18-19页 |
| 2.2 实验部分 | 第19-21页 |
| 2.2.1 实验试剂与仪器 | 第19-20页 |
| 2.2.2 硫脲晶体的制备 | 第20-21页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第21-34页 |
| 2.3.1 硫脲单晶中三种类型的宏观包裹体 | 第21-27页 |
| 2.3.2 硫脲单晶表面晶体缺陷 | 第27-28页 |
| 2.3.3 硫脲晶体溶解过程中气泡的释放 | 第28-31页 |
| 2.3.4 硫脲晶体中液态包裹体观察 | 第31-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-37页 |
| 第三章 硫脲宏观晶体缺陷关键影响因素研究 | 第37-51页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 实验部分 | 第38-40页 |
| 3.2.1 实验试剂与仪器 | 第38页 |
| 3.2.2 硫脲冷却结晶实验步骤 | 第38-40页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第40-48页 |
| 3.3.1 停滞冷却出晶 | 第40-45页 |
| 3.3.2 恒温搅拌出晶 | 第45-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-51页 |
| 第四章 硫脲单晶生长过程及液态包裹体形成机理研究 | 第51-65页 |
| 4.1 引言 | 第51-52页 |
| 4.1.1 晶体成核 | 第51页 |
| 4.1.2 晶体生长 | 第51-52页 |
| 4.2 实验部分 | 第52-53页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第53-62页 |
| 4.3.1 硫脲自然蒸发结晶晶体形貌 | 第53-54页 |
| 4.3.2 硫脲饱和溶液出晶过程研究 | 第54-56页 |
| 4.3.3 硫脲晶体中液态包裹体形成过程研究 | 第56-60页 |
| 4.3.4 追溯晶体生长历程 | 第60-61页 |
| 4.3.5 硫脲晶体中宏观晶体缺陷形成机理研究 | 第61-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-65页 |
| 第五章 结论与建议 | 第65-67页 |
| 5.1 结论 | 第65-66页 |
| 5.2 建议 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 附录 | 第73-75页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
