氧化锌纳米线的电阻渐变特性及其突触仿生的应用研究
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第7-24页 |
| 1.1 忆阻器概述 | 第7-13页 |
| 1.1.1 忆阻器的理论发展 | 第7-9页 |
| 1.1.2 忆阻器的研究概况 | 第9-13页 |
| 1.2 神经形态电路简介 | 第13-14页 |
| 1.3 神经突触的研究现状 | 第14-22页 |
| 1.3.1 神经突触的可塑性 | 第15-16页 |
| 1.3.2 可塑性与电阻渐变特性 | 第16-20页 |
| 1.3.3 突触的学习与记忆 | 第20-22页 |
| 1.4 论文的选题依据与研究内容 | 第22-23页 |
| 1.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第二章 氧化锌纳米线忆阻器的制备及表征 | 第24-36页 |
| 2.1 纳米线制备工艺流程 | 第24-30页 |
| 2.1.1 硅片清洗 | 第24-25页 |
| 2.1.2 金催化剂制备 | 第25-26页 |
| 2.1.3 纳米线生长及等离子体处理 | 第26-28页 |
| 2.1.4 氧化锌纳米线的表征 | 第28-30页 |
| 2.2 纳米线忆阻器制备工艺流程 | 第30-34页 |
| 2.3 实验测试系统的搭建 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 氧化锌纳米线的忆阻性能 | 第36-44页 |
| 3.1 忆阻器的存储特性 | 第36-39页 |
| 3.2 忆阻器的电阻渐变特性 | 第39-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 氧化锌纳米线的突触可塑性 | 第44-53页 |
| 4.1 脉冲时间依赖可塑性 | 第44-46页 |
| 4.2 脉冲频率和强度依赖可塑性 | 第46-48页 |
| 4.3 遗忘与经验式学习 | 第48-50页 |
| 4.4 突触的饱和效应 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 研究展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 个人简历、在学期间的研究结果及发表的学术论文 | 第61页 |
