| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-16页 |
| 1.1.1 二维层状材料的发展历程 | 第9-10页 |
| 1.1.2 2D-TMD_s薄膜的结构与性质 | 第10-12页 |
| 1.1.3 2D-TMD_s薄膜的潜在应用 | 第12-14页 |
| 1.1.4 2D-TMD_s薄膜的常用制备方法 | 第14-16页 |
| 1.2 2D-TMDs的国内外研究现状 | 第16-21页 |
| 1.2.1 2D-TMD_s薄膜制备的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.2.2 2D-TMD_s薄膜特性的研究现状 | 第19-21页 |
| 1.3 论文的主要内容、技术路线、组织架构和创新点 | 第21-24页 |
| 1.3.1 论文的主要内容、技术路线和组织架构 | 第21-23页 |
| 1.3.2 论文的创新点 | 第23-24页 |
| 第二章 2D-TMD_s薄膜样品及器件的制备、表征及测试方法 | 第24-28页 |
| 2.1 薄膜样品的制备材料和设备 | 第24页 |
| 2.2 薄膜样品结构、成分及光学特性表征手段 | 第24-26页 |
| 2.3 FET的制备及测试 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 大范围、大尺寸单层TMDs薄膜的可控生长及特性研究 | 第28-55页 |
| 3.1 MoS2薄膜的生长及特性研究 | 第28-43页 |
| 3.1.1 生长调控 | 第28-29页 |
| 3.1.2 结构与基础光学特性研究 | 第29-37页 |
| 3.1.3 电学特性研究及荧光的背栅调控 | 第37-43页 |
| 3.2 WS2薄膜的生长及特性研究 | 第43-47页 |
| 3.3 Mo_(1-x)W_xS_2及W_(1-x)Mo_xS_2合金薄膜的生长及特性研究 | 第47-54页 |
| 3.3.1 Mo_（1-x）W_xS_2薄膜的生长及能带调控 | 第48-52页 |
| 3.3.2 W_(1-x)Mo_xS_2薄膜的生长及能带调控 | 第52-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 2D-TMDs薄膜的逐层可控生长及特性研究 | 第55-81页 |
| 4.1 双层及多层MoS_2薄膜的可控生长及特性研究 | 第55-73页 |
| 4.1.1 双层MoS2薄膜的生长 | 第55-61页 |
| 4.1.2 双层MoS_2薄膜结构与光学特性的研究 | 第61-65页 |
| 4.1.3 双层MoS_2薄膜电学特性研究 | 第65-69页 |
| 4.1.4 双层MoS_2薄膜的花样可控激光刻蚀 | 第69-72页 |
| 4.1.5 多层MoS_2薄膜的可控生长 | 第72-73页 |
| 4.2 双层WS_2薄膜的生长及特性研究 | 第73-75页 |
| 4.3 双层多元合金薄膜的生长及特性研究 | 第75-80页 |
| 4.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 第五章 2D-TMD_s异质结的可控生长及特性研究 | 第81-94页 |
| 5.1 大范围、大尺寸MoS_2/WS_2垂直异质结阵列的可控生长及特性研究 | 第81-83页 |
| 5.2 大范围、高产率MoS_2-WS_2水平异质结的可控生长及特性研究 | 第83-86页 |
| 5.3 双层复杂异质结的可控生长及特性研究 | 第86-93页 |
| 5.3.1 MoS_2-WS_2/WS_2异质结的可控生长及特性研究 | 第86-92页 |
| 5.3.2 2L-MoS_2-2L-WS_2异质结的可控生长及特性研究 | 第92-93页 |
| 5.4 本章小结 | 第93-94页 |
| 第六章 2D-TMDs薄膜光电探测器的性能研究 | 第94-101页 |
| 6.1 单层MoS_2薄膜光电探测器的性能研究 | 第94-97页 |
| 6.2 双层MoS_2薄膜光电探测器的性能研究 | 第97-99页 |
| 6.3 双层Mo_(1-x)W_xS_2_(1-y)Se_2_y合金薄膜光电探测器的性能研究 | 第99-100页 |
| 6.4 本章小结 | 第100-101页 |
| 第七章 主要结论与展望 | 第101-103页 |
| 7.1 主要结论 | 第101-102页 |
| 7.2 展望 | 第102-103页 |
| 致谢 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-114页 |
| 附录 :作者在攻读博士学位期间取得的成果 | 第114-115页 |
