| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 膜分离技术概述 | 第10页 |
| 1.2 纳滤膜 | 第10-16页 |
| 1.2.1 纳滤膜技术 | 第10-11页 |
| 1.2.2 纳滤膜的制备方法 | 第11-12页 |
| 1.2.3 膜表面改性 | 第12-14页 |
| 1.2.4 纳滤膜的应用 | 第14-16页 |
| 1.3 膜污染 | 第16-18页 |
| 1.3.1 膜污染的定义与分类 | 第16-17页 |
| 1.3.2 膜污染的影响因素及控制手段 | 第17-18页 |
| 1.4 课题研究的主要内容 | 第18-20页 |
| 第二章 实验材料、设备以及表征方法 | 第20-26页 |
| 2.1 实验原料 | 第20页 |
| 2.2 实验仪器 | 第20-21页 |
| 2.3 基膜的制备 | 第21页 |
| 2.4 表征方法 | 第21-23页 |
| 2.4.1 傅里叶红外光谱(FTIR) | 第21页 |
| 2.4.2 X射线衍射(XRD) | 第21页 |
| 2.4.3 透射电子显微镜(TEM) | 第21-22页 |
| 2.4.4 热失重分析(TGA) | 第22页 |
| 2.4.5 扫描电子显微镜(SEM) | 第22页 |
| 2.4.6 原子力显微镜(AFM) | 第22-23页 |
| 2.4.7 接触角分析 | 第23页 |
| 2.4.8 Zeta电位分析 | 第23页 |
| 2.5 纳滤膜的性能评价 | 第23-26页 |
| 2.5.1 纳滤膜的分离性能评价 | 第23-24页 |
| 2.5.2 膜抗污染性能评价 | 第24-26页 |
| 第三章 高通量、抗污染g-C3N4改性的聚酰胺(PA/CNs)纳滤膜 | 第26-40页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 g-C3N4材料的制备与表征 | 第27-28页 |
| 3.2.1 g-C3N4纳米片(CNs)的制备 | 第27页 |
| 3.2.2 g-C3N4的表征 | 第27-28页 |
| 3.3 PA/CNs纳滤膜的制备与表征 | 第28-34页 |
| 3.3.1 PA/CNs纳滤膜的制备 | 第28页 |
| 3.3.2 PA/CNs纳滤膜的表征 | 第28-34页 |
| 3.4 不同制备条件对PA/CNs纳滤膜性能的影响 | 第34-37页 |
| 3.4.1 g-C3N4加入量的影响 | 第34-35页 |
| 3.4.2 PIP水溶液浸没时间的影响 | 第35-36页 |
| 3.4.3 界面聚合时间的影响 | 第36-37页 |
| 3.5 膜抗污染性能 | 第37-38页 |
| 3.6 小结 | 第38-40页 |
| 第四章 高通量、抗污染两性钛纳米管改性的聚酰胺(PA/Z-TNT)纳滤膜 | 第40-54页 |
| 4.1 引言 | 第40-41页 |
| 4.2 Z-TNT的制备与表征 | 第41-43页 |
| 4.2.1 Z-TNT的制备 | 第41-42页 |
| 4.2.2 Z-TNT的表征 | 第42-43页 |
| 4.3 PA/Z-TNT纳滤膜的制备与表征 | 第43-48页 |
| 4.3.1 PA/Z-TNT纳滤膜的制备 | 第43-44页 |
| 4.3.2 PA/Z-TNT纳滤膜的表征 | 第44-48页 |
| 4.4 不同制备条件对PA/Z-TNT纳滤膜性能的影响 | 第48-50页 |
| 4.4.1 Z-TNT加入量的影响 | 第48-49页 |
| 4.4.2 界面聚合时间的影响 | 第49-50页 |
| 4.5 膜抗污染性能 | 第50-52页 |
| 4.6 小结 | 第52-54页 |
| 第五章 高通量聚β环糊精改性的聚酰胺(PA/P-CDPs)纳滤膜 | 第54-62页 |
| 5.1 引言 | 第54-55页 |
| 5.2 P-CDPs的制备与表征 | 第55-56页 |
| 5.2.1 P-CDPs的制备 | 第55页 |
| 5.2.2 P-CDPs的表征 | 第55-56页 |
| 5.3 PA/P-CDPs纳滤膜的制备与表征 | 第56-59页 |
| 5.3.1 PA/P-CDPs膜的制备 | 第56页 |
| 5.3.2 PA/P-CDPs膜的表征 | 第56-59页 |
| 5.4 P-CDPs加入量对膜性能的影响 | 第59-61页 |
| 5.5 小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 结论 | 第62页 |
| 6.2 展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 发表论文和专利情况说明 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
