| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 引言 | 第16页 |
| 1.2 photOFET的研究进展和应用 | 第16-19页 |
| 1.3 OFET紧凑型模型简介 | 第19-24页 |
| 1.3.1 OFET紧凑型模型的提出 | 第19-22页 |
| 1.3.2 OFET紧凑型模型现状分析 | 第22-24页 |
| 1.4 本论文的目的和主要内容 | 第24-26页 |
| 2 光敏OFET的简介 | 第26-36页 |
| 2.1 photOFET的结构 | 第26-27页 |
| 2.2 photOFET的工作原理 | 第27-29页 |
| 2.3 photOFET的材料 | 第29-32页 |
| 2.3.1 光敏材料 | 第29-30页 |
| 2.3.2 电极材料 | 第30-31页 |
| 2.3.3 介质层材料 | 第31-32页 |
| 2.3.4 衬底材料 | 第32页 |
| 2.4 photOFET的制备工艺 | 第32-34页 |
| 2.4.1 真空热蒸发技术 | 第33页 |
| 2.4.2 旋涂工艺 | 第33-34页 |
| 2.5 photOFET的性能参数 | 第34-36页 |
| 3 TiOPc photOFET的制备 | 第36-51页 |
| 3.1 材料和结构的选择 | 第36-37页 |
| 3.2 器件的制备流程 | 第37-39页 |
| 3.2.1 衬底的预处理 | 第37-38页 |
| 3.2.2 栅电极的刻蚀 | 第38页 |
| 3.2.3 介质层的旋涂 | 第38页 |
| 3.2.4 有机半导体层的制备 | 第38-39页 |
| 3.2.5 电极的制备 | 第39页 |
| 3.3 器件测试方法 | 第39-40页 |
| 3.4 器件性能分析 | 第40-50页 |
| 3.4.1 808nm不同光照下器件性能分析 | 第40-45页 |
| 3.4.2 650nm不同光照下器件性能分析 | 第45-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 4 模型建立与参数提取 | 第51-68页 |
| 4.1 自由电荷和俘获电荷的密度以及场效应迁移率 | 第52-54页 |
| 4.2 电流电压特性 | 第54-58页 |
| 4.3 各参数的意义 | 第58-64页 |
| 4.3.1 γ的作用 | 第58-59页 |
| 4.3.2 VT的作用 | 第59-60页 |
| 4.3.3 的作用 | 第60-61页 |
| 4.3.4 R的作用 | 第61-62页 |
| 4.3.5 α的作用 | 第62页 |
| 4.3.6 m的作用 | 第62-63页 |
| 4.3.7 λ的作用 | 第63-64页 |
| 4.4 参数的提取方法 | 第64-67页 |
| 4.5 小结 | 第67-68页 |
| 5 器件仿真和SPICE应用 | 第68-90页 |
| 5.1 TiOPc photOFET的仿真 | 第68-75页 |
| 5.1.1 TiOPc photOFET的参数计算 | 第68-72页 |
| 5.1.2 TiOPc photOFET仿真结果的比较 | 第72-75页 |
| 5.2 CuPc photOFET的模拟 | 第75-77页 |
| 5.2.1 CuPc photOFET的物理参数 | 第75-76页 |
| 5.2.2 CuPc photOFET的参数计算 | 第76页 |
| 5.2.3 CuPc photOFET仿真结果的比较 | 第76-77页 |
| 5.3 photOFET SPICE模型和光敏应用 | 第77-88页 |
| 5.3.1 photOFET SPICE模型 | 第77-79页 |
| 5.3.2 反相器 | 第79-82页 |
| 5.3.3 共栅放大器 | 第82-85页 |
| 5.3.4 共源放大器 | 第85-87页 |
| 5.3.5 共漏放大器 | 第87-88页 |
| 5.4 小结 | 第88-90页 |
| 6 总结与展望 | 第90-92页 |
| 6.1 总结 | 第90-91页 |
| 6.2 展望 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-100页 |
| 作者简历 | 第100页 |
