抗辐射加固SRAM设计与测试
| 摘要 | 第1-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| ·辐射环境及辐射效应理论 | 第13-18页 |
| ·辐射环境 | 第13-15页 |
| ·辐射效应 | 第15-18页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第18-20页 |
| ·国内外发展和现状 | 第20-23页 |
| ·论文的主要工作 | 第23-24页 |
| ·论文的组织结构 | 第24-25页 |
| 第二章 存储单元概述 | 第25-39页 |
| ·传统存储单元结构 | 第25-28页 |
| ·6T存储单元结构 | 第25-26页 |
| ·其他存储单元结构 | 第26-28页 |
| ·存储单元的工作原理 | 第28-30页 |
| ·存储单元的单粒子翻转机理和常用加固方法 | 第30-34页 |
| ·存储单元的单粒子翻转机理 | 第30-31页 |
| ·存储单元的常用加固方法 | 第31-34页 |
| ·几种典型的设计加固存储单元的抗SEU机理分析 | 第34-38页 |
| ·TMR单元的抗SEU机理 | 第34-35页 |
| ·HIT单元的抗SEU机理 | 第35-37页 |
| ·DICE单元的抗SEU机理 | 第37页 |
| ·10T单元的抗SEU机理 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 抗辐射加固SRAM设计 | 第39-53页 |
| ·总体结构设计 | 第39-41页 |
| ·外围电路设计 | 第41-45页 |
| ·译码电路设计 | 第41-42页 |
| ·预充电路设计 | 第42-43页 |
| ·敏感放大器设计 | 第43-45页 |
| ·存储单元设计 | 第45-49页 |
| ·晶体管尺寸的确定 | 第45-46页 |
| ·存储单元的抗 SEU 模拟 | 第46-49页 |
| ·SRAM版图设计 | 第49-52页 |
| ·基本功能模块的版图设计 | 第49-51页 |
| ·RHBD SRAM整体版图 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 SRAM辐射效应测试系统设计 | 第53-69页 |
| ·测试系统的设计要求 | 第53-54页 |
| ·测试系统概述 | 第54-55页 |
| ·抗SEL断电保护电路的设计 | 第55-61页 |
| ·电流检测 | 第55-56页 |
| ·电流监测 | 第56页 |
| ·开关电路 | 第56-57页 |
| ·抗SEL断电保护电路 | 第57-61页 |
| ·测试数据的采集 | 第61-65页 |
| ·SRAM的功能参数的采集 | 第61-63页 |
| ·SRAM的工作电流的采集 | 第63-65页 |
| ·测试板的设计与布局 | 第65-67页 |
| ·监控主机软件设计 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 抗辐射加固SRAM功能测试及辐射效应试验 | 第69-83页 |
| ·国内辐射效应试验环境 | 第69-72页 |
| ·总剂量效应试验环境 | 第69页 |
| ·单粒子效应试验环境 | 第69-71页 |
| ·脉冲激光辐射试验环境 | 第71-72页 |
| ·SRAM功能测试与性能测试 | 第72-76页 |
| ·功能测试 | 第72-74页 |
| ·性能测试 | 第74-76页 |
| ·辐射效应试验 | 第76-82页 |
| ·重离子辐射试验 | 第76-77页 |
| ·脉冲激光辐射试验 | 第77-80页 |
| ·抗辐射加固SRAM与普通SRAM的对比 | 第80-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 结束语 | 第83-84页 |
| ·工作总结 | 第83页 |
| ·研究展望 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-88页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第88页 |
