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低噪声、高精度CMOS石英晶体振荡器设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-17页
    1.1 研究背景第10-12页
    1.2 国内外研究现状第12-15页
    1.3 研究意义第15页
    1.4 论文内容以及工作安排第15-17页
第二章 石英晶体振荡器基本原理分析第17-40页
    2.1 石英晶体第17-22页
        2.1.1 石英晶体物理特性第17-19页
        2.1.2 等效模型第19-22页
    2.2 晶体振荡器与相位噪声分析第22-37页
        2.2.1 晶体振荡器模型第22-24页
        2.2.2 相位噪声第24-29页
        2.2.3 Leeson相位噪声模型第29-37页
    2.3 传统振荡器第37-39页
    2.4 本章小结第39-40页
第三章 CMOS交叉耦合石英晶体振荡电路设计第40-74页
    3.1 CMOS交叉耦合振荡器第40-57页
        3.1.1 主振荡电路第40-43页
        3.1.2 预抑制电路第43-46页
        3.1.3 相位噪声优化第46-55页
        3.1.4 仿真第55-57页
    3.2 带隙基准电压源第57-65页
        3.2.1 误差放大器第57-58页
        3.2.2 带隙基准电压源第58-62页
        3.2.3 仿真第62-65页
    3.3 低压差线性稳压器第65-72页
        3.3.1 低压差线性稳压器第65-70页
        3.3.2 仿真第70-72页
    3.4 整体电路仿真与分析第72-73页
    3.5 本章小结第73-74页
第四章 版图设计与流片测试第74-90页
    4.1 版图设计规则第74-76页
        4.1.1 走线第74-75页
        4.1.2 匹配第75-76页
        4.1.3 闩锁效应第76页
    4.2 CMOS交叉耦合振荡器第76-79页
        4.2.1 版图设计第76-77页
        4.2.2 后仿真第77-79页
    4.3 带隙基准电压源第79-84页
        4.3.1 版图设计第79-80页
        4.3.2 后仿真第80-84页
    4.4 低压差线性稳压器第84-85页
        4.4.1 版图设计第84页
        4.4.2 后仿真第84-85页
    4.5 整体版图及仿真第85-88页
        4.5.1 芯片版图第85-86页
        4.5.2 后仿真第86-88页
    4.6 测试结果与分析第88-89页
    4.7 本章小结第89-90页
总结与展望第90-92页
参考文献第92-96页
致谢第96-98页
附录A (攻读学位期间发表的论文)第98-99页
附录B (攻读学位期间参与的项目)第99-100页
附录C (攻读学位期间发表的专利)第100页

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