| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 光学体全息存储技术与光折变材料简介 | 第10-12页 |
| 1.2.1 光学体全息存储技术 | 第10页 |
| 1.2.2 光折变材料 | 第10-12页 |
| 1.3 铌酸锂晶体作为全息存储材料的研究进展 | 第12-14页 |
| 1.3.1 铌酸锂晶体的具体优势 | 第12-13页 |
| 1.3.2 铌酸锂晶体体全息存储研究进展 | 第13-14页 |
| 1.4 课题的研究目的和意义 | 第14页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 晶体生长与样品制备 | 第16-26页 |
| 2.1 铌酸锂晶体生长方法—提拉法 | 第16-17页 |
| 2.2 铌酸锂晶体生长的准备工作 | 第17-19页 |
| 2.2.1 掺杂元素的选择与原料中[Li]/[Nb]比的确定 | 第17页 |
| 2.2.2 原料配制 | 第17-18页 |
| 2.2.3 预制多晶料 | 第18-19页 |
| 2.3 晶体生长 | 第19-22页 |
| 2.3.1 晶体生长装置 | 第19-20页 |
| 2.3.2 铌酸锂晶体生长流程 | 第20-21页 |
| 2.3.3 晶体生长的工艺参数 | 第21-22页 |
| 2.4 晶体的极化 | 第22-23页 |
| 2.5 晶体加工 | 第23-25页 |
| 2.5.1 晶体定向切割 | 第23-24页 |
| 2.5.2 晶片研磨抛光 | 第24-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 锂铌比变化锆铜铁三掺铌酸锂晶体的光谱特性与结构分析 | 第26-36页 |
| 3.1 铌酸锂晶体的本征缺陷结构 | 第26页 |
| 3.2 X射线衍射(XRD)分析 | 第26-30页 |
| 3.2.1 X射线衍射基本原理 | 第26-27页 |
| 3.2.2 XRD测试结果与分析 | 第27-30页 |
| 3.3 红外光谱分析 | 第30-33页 |
| 3.3.1 红外透射光谱的测试及结果 | 第31-32页 |
| 3.3.2 OH-吸收峰移动机理研究 | 第32-33页 |
| 3.4 紫外-可见吸收光谱分析 | 第33-35页 |
| 3.4.1 紫外-可见吸收光谱的测试及结果 | 第33-34页 |
| 3.4.2 紫外吸收边移动机理研究 | 第34-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 锂铌比变化锆铜铁三掺铌酸锂晶体光折变性能 | 第36-50页 |
| 4.1 光折变效应的物理机制 | 第36-39页 |
| 4.1.1 光激发载流子 | 第36-37页 |
| 4.1.2 带输运模型 | 第37-39页 |
| 4.2 铌酸锂晶体光折变性能测试 | 第39-42页 |
| 4.2.1 铌酸锂晶体中的双光束干涉 | 第39-41页 |
| 4.2.2 二波耦合实验方法 | 第41-42页 |
| 4.3 铌酸锂晶体光折变性能参数 | 第42-44页 |
| 4.3.1 写入时间与擦除时间 | 第42-43页 |
| 4.3.2 衍射效率 | 第43页 |
| 4.3.3 光折变灵敏度 | 第43-44页 |
| 4.3.4 动态范围 | 第44页 |
| 4.4 Zr:Cu:Fe:LiNbO_3系列晶体光折变性能测试结果与分析 | 第44-47页 |
| 4.5 Zr:Cu:Fe:LiNbO_3系列晶体非挥发存储性能 | 第47-48页 |
| 4.6 本章小结 | 第48-50页 |
| 第5章 锂铌比变化锆铜铁三掺铌酸锂晶体抗光致散射能力 | 第50-53页 |
| 5.1 晶体抗光致散射能力测试 | 第50-51页 |
| 5.2 Zr:Cu:Fe:LiNbO_3系列晶体抗光致散射能力测试结果 | 第51-52页 |
| 5.3 测试结果分析 | 第52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 作者简介 | 第62页 |
