| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 场致电子发射及其应用概述 | 第13-14页 |
| 1.2 场致电子发射材料及其改性研究 | 第14-19页 |
| 1.2.1 场致电子发射冷阴极材料简介 | 第14-17页 |
| 1.2.2 场致电子发射冷阴极性能改善途径 | 第17-19页 |
| 1.3 SnO_2、TiO_2纳米结构及其场致电子发射性能研究现状 | 第19-20页 |
| 1.3.1 SnO_2纳米颗粒阵列及其场致电子发射性能研究 | 第19-20页 |
| 1.3.2 TiO_2纳米管阵列及其场致电子发射性能研究 | 第20页 |
| 1.4 本文的选题背景及研究内容 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 场致电子发射理论概述 | 第25-37页 |
| 2.1 场致电子发射的基本理论 | 第25-32页 |
| 2.1.1 金属材料的场致电子发射理论 | 第26-29页 |
| 2.1.2 半导体材料的场致电子发射理论 | 第29-31页 |
| 2.1.3 内场致电子发射 | 第31-32页 |
| 2.2 场致电子发射材料性能的评价参数 | 第32-33页 |
| 2.3 影响场致电子发射的因素 | 第33-34页 |
| 2.4 场致电子发射测试系统 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 SnO_2纳米颗粒阵列的制备及其场致电子发射研究 | 第37-54页 |
| 3.1 SnO_2纳米颗粒阵列的可控制备 | 第38-41页 |
| 3.1.1 退火温度对SnO_2纳米颗粒阵列形貌结构的影响 | 第39-40页 |
| 3.1.2 催化剂量对SnO_2纳米颗粒阵列形貌结构的影响 | 第40-41页 |
| 3.2 SnO_2纳米颗粒阵列的物相结构表征 | 第41-46页 |
| 3.2.1 退火温度对SnO_2纳米颗粒物相结构的调控 | 第41-44页 |
| 3.2.2 催化剂量对SnO_2纳米颗粒物相结构的调控 | 第44-46页 |
| 3.3 SnO_2纳米颗粒阵列结构的场致电子发射性能改善研究 | 第46-51页 |
| 3.3.1 退火温度诱导的自掺杂行为对SnO_2纳米颗粒阵列场致电子发射性能的改善 | 第47-49页 |
| 3.3.2 催化剂量诱导的自掺杂行为对SnO_2纳米颗粒阵列场致电子发射性能的改善 | 第49-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第四章 NaBH_4液相还原对TiO_2纳米管阵列场致电子发射改性研究 | 第54-79页 |
| 4.1 部分还原的TiO_2纳米管阵列的液相制备 | 第56-57页 |
| 4.2 NaBH_4液相还原对TiO_2纳米管阵列形貌结构的调控 | 第57-59页 |
| 4.2.1 还原时间对TiO_2纳米管阵列形貌结构的影响 | 第57页 |
| 4.2.2 还原温度对TiO_2纳米管阵列形貌结构的影响 | 第57-59页 |
| 4.3 NaBH_4液相还原对TiO_2纳米管阵列物相结构的调控 | 第59-69页 |
| 4.3.1 还原时间对TiO_2纳米管阵列物相结构的影响 | 第59-63页 |
| 4.3.2 还原温度对TiO_2纳米管阵列物相结构的影响 | 第63-69页 |
| 4.4 NaBH_4液相还原对TiO_2纳米管阵列场致电子发射性能的改善 | 第69-77页 |
| 4.4.1 还原时间对TiO_2纳米管阵列场致电子发射性能的影响 | 第70-73页 |
| 4.4.2 还原温度对TiO_2纳米管阵列场致电子发射性能的影响 | 第73-77页 |
| 4.5 本章小结 | 第77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第五章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 附录：攻读硕士学位期间发表或提交的论文 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
