| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN材料的特性与优势 | 第11-12页 |
| 1.3 AlGaN/GaNHEMT器件简介 | 第12-15页 |
| 1.3.1 AlGaN/GaNHEMT器件的发展历程 | 第12-13页 |
| 1.3.2 AlGaN/GaNHEMT器件的材料与结构优化 | 第13-14页 |
| 1.3.3 AlGaN/GaNHEMT器件中存在的问题 | 第14-15页 |
| 1.4 本文的框架及主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 AlGaN/GaNHEMT器件物理及应力模型 | 第16-31页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结构与极化效应 | 第16-20页 |
| 2.2 AlGaN/GaNHEMT器件工作原理 | 第20-25页 |
| 2.2.1 器件基本结构与原理 | 第20-22页 |
| 2.2.2 器件性能参数 | 第22-25页 |
| 2.3 应力模型 | 第25-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 器件物理建模及仿真方法 | 第31-39页 |
| 3.1 AlGaN/GaNHEMT器件仿真的意义 | 第31页 |
| 3.2 仿真软件SentaurusTCAD的简介及使用 | 第31-35页 |
| 3.3 器件仿真的物理基础 | 第35-38页 |
| 3.3.1 半导体器件物理的基本方程 | 第35-36页 |
| 3.3.2 仿真中的器件模型与材料参数 | 第36-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 基于应力模型的AlGaN/GaNHEMT器件特性仿真及分析 | 第39-53页 |
| 4.1 应力变化对器件性能的影响 | 第40-49页 |
| 4.1.1 晶格应变对器件电学特性的影响 | 第40-45页 |
| 4.1.2 晶格弛豫对器件电学特性的影响 | 第45-49页 |
| 4.2 势垒层阶梯应力的器件耐压优化 | 第49-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 AlGaN/GaNHEMT器件电退化的应力机制及改善措施 | 第53-77页 |
| 5.1 器件电退化现象及机理模型 | 第53-54页 |
| 5.2 器件势垒层不同区域应力对电退化的影响 | 第54-75页 |
| 5.2.1 势垒层不同区域应变晶格常数对电退化的影响 | 第57-66页 |
| 5.2.2 势垒层不同区域应力弛豫度对电退化的影响 | 第66-75页 |
| 5.3 改善电退化现象的措施 | 第75-76页 |
| 5.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 总结 | 第77-79页 |
| 6.1 本文结论 | 第77页 |
| 6.2 下一步工作展望 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-86页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第86页 |
