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应力对AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-16页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 GaN材料的特性与优势第11-12页
    1.3 AlGaN/GaNHEMT器件简介第12-15页
        1.3.1 AlGaN/GaNHEMT器件的发展历程第12-13页
        1.3.2 AlGaN/GaNHEMT器件的材料与结构优化第13-14页
        1.3.3 AlGaN/GaNHEMT器件中存在的问题第14-15页
    1.4 本文的框架及主要内容第15-16页
第二章 AlGaN/GaNHEMT器件物理及应力模型第16-31页
    2.1 AlGaN/GaN异质结构与极化效应第16-20页
    2.2 AlGaN/GaNHEMT器件工作原理第20-25页
        2.2.1 器件基本结构与原理第20-22页
        2.2.2 器件性能参数第22-25页
    2.3 应力模型第25-30页
    2.4 本章小结第30-31页
第三章 器件物理建模及仿真方法第31-39页
    3.1 AlGaN/GaNHEMT器件仿真的意义第31页
    3.2 仿真软件SentaurusTCAD的简介及使用第31-35页
    3.3 器件仿真的物理基础第35-38页
        3.3.1 半导体器件物理的基本方程第35-36页
        3.3.2 仿真中的器件模型与材料参数第36-38页
    3.4 本章小结第38-39页
第四章 基于应力模型的AlGaN/GaNHEMT器件特性仿真及分析第39-53页
    4.1 应力变化对器件性能的影响第40-49页
        4.1.1 晶格应变对器件电学特性的影响第40-45页
        4.1.2 晶格弛豫对器件电学特性的影响第45-49页
    4.2 势垒层阶梯应力的器件耐压优化第49-52页
    4.3 本章小结第52-53页
第五章 AlGaN/GaNHEMT器件电退化的应力机制及改善措施第53-77页
    5.1 器件电退化现象及机理模型第53-54页
    5.2 器件势垒层不同区域应力对电退化的影响第54-75页
        5.2.1 势垒层不同区域应变晶格常数对电退化的影响第57-66页
        5.2.2 势垒层不同区域应力弛豫度对电退化的影响第66-75页
    5.3 改善电退化现象的措施第75-76页
    5.4 本章小结第76-77页
第六章 总结第77-79页
    6.1 本文结论第77页
    6.2 下一步工作展望第77-79页
致谢第79-80页
参考文献第80-86页
攻读硕士期间取得的研究成果第86页

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