NiFe/FeMn多层膜交换偏置场的测量及磁电耦合
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1.绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 高频磁性材料 | 第9-12页 |
| 1.2 高频磁性理论 | 第12-16页 |
| 1.2.1 复数磁导率 | 第12-13页 |
| 1.2.2 磁化强度进动方程 | 第13-14页 |
| 1.2.3 描述高频磁性的模型 | 第14-15页 |
| 1.2.4 磁各向异性 | 第15-16页 |
| 1.3 交换偏置效应简介 | 第16-19页 |
| 1.3.1 交换偏置的影响因素 | 第17-18页 |
| 1.3.2 交换偏置简单模型 | 第18-19页 |
| 1.4 论文的研究内容 | 第19-21页 |
| 2.样品的制备及性能表征 | 第21-30页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第21-23页 |
| 2.1.2 薄膜的生长过程 | 第22页 |
| 2.1.3 实验设备 | 第22-23页 |
| 2.2 薄膜性能的表征 | 第23-30页 |
| 2.2.1 台阶仪 | 第24页 |
| 2.2.2 X射线衍射分析(XRD) | 第24-25页 |
| 2.2.3 振动样品磁强计(VSM) | 第25-26页 |
| 2.2.4 各向异性磁电阻测量仪 | 第26-27页 |
| 2.2.5 矢量网络分析仪(VNA) | 第27-30页 |
| 3.不同方法测量交换偏置场 | 第30-40页 |
| 3.1 样品的制备 | 第31-32页 |
| 3.2 VSM测量法 | 第32-33页 |
| 3.3 AMR测量法 | 第33-36页 |
| 3.4 VNA-FMR测量法 | 第36-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 4.交换偏置多层膜的磁电耦合效应研究 | 第40-54页 |
| 4.1 磁电耦合效应 | 第40-43页 |
| 4.2 构建铁电异质结 | 第43-46页 |
| 4.3 单周期交换偏置薄膜的磁电耦合 | 第46-47页 |
| 4.4 多周期交换偏置薄膜的磁电耦合 | 第47-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 5.文章总结及展望 | 第54-56页 |
| 5.1 全文总结 | 第54页 |
| 5.2 后续展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 在读期间已发表和待发表的论文 | 第64页 |
