| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 论文研究背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 白光LED在可见光通信的应用和现状 | 第11-12页 |
| 1.3 微尺寸阵列LED芯片的特点和国内外发展现状 | 第12-16页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 1.4.1 存在的问题及本课题的提出 | 第16页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 4×4微尺寸LED芯片的制备和研究 | 第18-37页 |
| 2.1 微尺寸LED芯片的制备流程 | 第18-20页 |
| 2.2 透明导电层ITO的制备 | 第20-23页 |
| 2.3 不同芯片尺寸 | 第23-27页 |
| 2.4 不同电极大小 | 第27-29页 |
| 2.5 4×4微尺寸阵列芯片 | 第29-30页 |
| 2.6 4×4微尺寸阵列芯片封装集成工艺和特性分析 | 第30-36页 |
| 2.6.1 光色参数分析 | 第32-33页 |
| 2.6.2 调制带宽分析 | 第33-36页 |
| 2.7 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 8×8微尺寸LED芯片的制备 | 第37-65页 |
| 3.1 8×8微尺寸LED芯片的制备工艺流程 | 第37-38页 |
| 3.2 深刻蚀工艺 | 第38-49页 |
| 3.2.1 厚胶工艺 | 第38-44页 |
| 3.2.2 低损伤等离子刻蚀及损伤去除技术 | 第44-49页 |
| 3.3 不同刻蚀深度对电光性能的影响 | 第49-54页 |
| 3.4 8×8微尺寸阵列芯片 | 第54-61页 |
| 3.4.1 电极引线长度对阵列均匀性的影响 | 第56-60页 |
| 3.4.2 4×4和8×8芯片单元最大饱和电流密度的比较 | 第60-61页 |
| 3.5 8×8微尺寸阵列芯片封装集成工艺和特性分析 | 第61-63页 |
| 3.5.1 光色参数分析 | 第61-62页 |
| 3.5.2 调制带宽分析 | 第62-63页 |
| 3.6 本章小结 | 第63-65页 |
| 第四章 1×N微尺寸LED芯片的制备 | 第65-73页 |
| 4.1 1×N芯片串联的性能分析 | 第65-67页 |
| 4.2 1×N芯片并联的性能分析 | 第67-69页 |
| 4.3 1×N微尺寸阵列芯片封装集成工艺和特性分析 | 第69-71页 |
| 4.3.1 光色参数分析 | 第69-70页 |
| 4.3.2 调制带宽分析 | 第70-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 总结与展望 | 第73-76页 |
| 研究总结 | 第73-74页 |
| 工作展望 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-84页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 附录 | 第86页 |
