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ZnO及In2O3薄膜晶体管的研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-20页
    1.1 引言第10页
    1.2 薄膜晶体管的分类第10-12页
    1.3 氧化物薄膜晶体管的研究意义第12-13页
    1.4 氧化物薄膜晶体管的研究状况第13-16页
        1.4.1 ZnO第13-14页
        1.4.2 In_2O_3第14-15页
        1.4.3 SnO_2第15-16页
    1.5 本论文主要研究内容第16-17页
    参考文献第17-20页
第二章 氧化物薄膜晶体管的工作原理和制备方法第20-32页
    2.1 薄膜晶体管的结构第20-22页
    2.2 薄膜晶体管的工作原理和性能参数第22-24页
        2.2.1 薄膜晶体管的工作原理第22-23页
        2.2.2 薄膜晶体管的性能参数第23-24页
    2.3 薄膜晶体管的常用制备手段第24-28页
        2.3.1 喷雾热分解法第24-26页
        2.3.2 磁控溅射法第26-27页
        2.3.3 其他制备方法第27-28页
    2.4 薄膜晶体管的性能表征第28-30页
        2.4.1 X 射线衍射仪(XRD)分析第28-29页
        2.4.2 场发射扫描电镜(FESEM)第29页
        2.4.3 紫外可见分光光度计第29页
        2.4.4 霍尔效应测试第29-30页
        2.4.5 薄膜晶体管的电学性能表征第30页
    2.5 本章小结第30-31页
    参考文献第31-32页
第三章 喷雾热分解法制备 In-ZnO 薄膜晶体管第32-44页
    3.1 实验装置及实验流程第32-35页
        3.1.1 实验仪器第32页
        3.1.2 实验药品第32页
        3.1.3 In-ZnO 薄膜制备第32-34页
        3.1.4 In-ZnO 薄膜晶体管的制备第34-35页
    3.2 In-ZnO 薄膜的表征第35-37页
        3.2.1 XRD 分析第35-36页
        3.2.2 SEM 分析第36页
        3.2.3 光学透过率分析第36-37页
    3.3 In-ZnO 薄膜晶体管电学性能的表征第37-39页
        3.3.1 输出特性分析第37-38页
        3.3.2 转移特性分析第38-39页
    3.4 本章小结第39-41页
    参考文献第41-44页
第四章 喷雾热分解法制备 In_2O_3薄膜晶体管第44-54页
    4.1 实验装置及试验流程第44-46页
        4.1.1 实验仪器第44页
        4.1.2 实验药品第44页
        4.1.3 In_2O_3薄膜制备第44-45页
        4.1.4 In_2O_3薄膜晶体管的制备第45-46页
    4.2 In_2O_3薄膜的表征第46-48页
        4.2.1 XRD 分析第46-47页
        4.2.2 SEM 分析第47-48页
        4.2.3 光学透过率分析第48页
    4.3 In_2O_3薄膜薄膜晶体管的电学性能第48-50页
        4.3.1 前驱体溶液浓度对 In_2O_3薄膜晶体管的电学性能影响第48-50页
    4.4 本章小结第50-51页
    参考文献第51-54页
第五章 磁控溅射技术制备 In_2O_3薄膜晶体管第54-68页
    5.1 实验装置及试验流程第54-57页
        5.1.1 实验仪器第54页
        5.1.2 实验药品第54页
        5.1.3 In_2O_3薄膜制备第54-56页
        5.1.4 In_2O_3薄膜晶体管的制备第56-57页
    5.2 In_2O_3薄膜的表征第57-60页
        5.2.1 SEM 分析第57页
        5.2.2 光学透过率分析第57-60页
    5.3 In_2O_3薄膜晶体管的电学性能表征第60-64页
        5.3.1 沟道层厚度对 TFT 电学性能影响分析第60-62页
        5.3.2 光照对 TFT 电学性能的影响分析第62-64页
    5.4 本章小结第64-65页
    参考文献第65-68页
第六章 全文总结第68-70页
致谢第70-72页
攻读学位期间发表的学术论文第72-73页

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