摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-20页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 薄膜晶体管的分类 | 第10-12页 |
1.3 氧化物薄膜晶体管的研究意义 | 第12-13页 |
1.4 氧化物薄膜晶体管的研究状况 | 第13-16页 |
1.4.1 ZnO | 第13-14页 |
1.4.2 In_2O_3 | 第14-15页 |
1.4.3 SnO_2 | 第15-16页 |
1.5 本论文主要研究内容 | 第16-17页 |
参考文献 | 第17-20页 |
第二章 氧化物薄膜晶体管的工作原理和制备方法 | 第20-32页 |
2.1 薄膜晶体管的结构 | 第20-22页 |
2.2 薄膜晶体管的工作原理和性能参数 | 第22-24页 |
2.2.1 薄膜晶体管的工作原理 | 第22-23页 |
2.2.2 薄膜晶体管的性能参数 | 第23-24页 |
2.3 薄膜晶体管的常用制备手段 | 第24-28页 |
2.3.1 喷雾热分解法 | 第24-26页 |
2.3.2 磁控溅射法 | 第26-27页 |
2.3.3 其他制备方法 | 第27-28页 |
2.4 薄膜晶体管的性能表征 | 第28-30页 |
2.4.1 X 射线衍射仪(XRD)分析 | 第28-29页 |
2.4.2 场发射扫描电镜(FESEM) | 第29页 |
2.4.3 紫外可见分光光度计 | 第29页 |
2.4.4 霍尔效应测试 | 第29-30页 |
2.4.5 薄膜晶体管的电学性能表征 | 第30页 |
2.5 本章小结 | 第30-31页 |
参考文献 | 第31-32页 |
第三章 喷雾热分解法制备 In-ZnO 薄膜晶体管 | 第32-44页 |
3.1 实验装置及实验流程 | 第32-35页 |
3.1.1 实验仪器 | 第32页 |
3.1.2 实验药品 | 第32页 |
3.1.3 In-ZnO 薄膜制备 | 第32-34页 |
3.1.4 In-ZnO 薄膜晶体管的制备 | 第34-35页 |
3.2 In-ZnO 薄膜的表征 | 第35-37页 |
3.2.1 XRD 分析 | 第35-36页 |
3.2.2 SEM 分析 | 第36页 |
3.2.3 光学透过率分析 | 第36-37页 |
3.3 In-ZnO 薄膜晶体管电学性能的表征 | 第37-39页 |
3.3.1 输出特性分析 | 第37-38页 |
3.3.2 转移特性分析 | 第38-39页 |
3.4 本章小结 | 第39-41页 |
参考文献 | 第41-44页 |
第四章 喷雾热分解法制备 In_2O_3薄膜晶体管 | 第44-54页 |
4.1 实验装置及试验流程 | 第44-46页 |
4.1.1 实验仪器 | 第44页 |
4.1.2 实验药品 | 第44页 |
4.1.3 In_2O_3薄膜制备 | 第44-45页 |
4.1.4 In_2O_3薄膜晶体管的制备 | 第45-46页 |
4.2 In_2O_3薄膜的表征 | 第46-48页 |
4.2.1 XRD 分析 | 第46-47页 |
4.2.2 SEM 分析 | 第47-48页 |
4.2.3 光学透过率分析 | 第48页 |
4.3 In_2O_3薄膜薄膜晶体管的电学性能 | 第48-50页 |
4.3.1 前驱体溶液浓度对 In_2O_3薄膜晶体管的电学性能影响 | 第48-50页 |
4.4 本章小结 | 第50-51页 |
参考文献 | 第51-54页 |
第五章 磁控溅射技术制备 In_2O_3薄膜晶体管 | 第54-68页 |
5.1 实验装置及试验流程 | 第54-57页 |
5.1.1 实验仪器 | 第54页 |
5.1.2 实验药品 | 第54页 |
5.1.3 In_2O_3薄膜制备 | 第54-56页 |
5.1.4 In_2O_3薄膜晶体管的制备 | 第56-57页 |
5.2 In_2O_3薄膜的表征 | 第57-60页 |
5.2.1 SEM 分析 | 第57页 |
5.2.2 光学透过率分析 | 第57-60页 |
5.3 In_2O_3薄膜晶体管的电学性能表征 | 第60-64页 |
5.3.1 沟道层厚度对 TFT 电学性能影响分析 | 第60-62页 |
5.3.2 光照对 TFT 电学性能的影响分析 | 第62-64页 |
5.4 本章小结 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-68页 |
第六章 全文总结 | 第68-70页 |
致谢 | 第70-72页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第72-73页 |