| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 半导体材料的性能与应用 | 第13-14页 |
| 1.2 半导体材料的加工方法 | 第14-19页 |
| 1.2.1 带锯切割 | 第14-15页 |
| 1.2.2 内外圆切割 | 第15-16页 |
| 1.2.3 多线切割 | 第16-17页 |
| 1.2.4 超精密加工 | 第17-18页 |
| 1.2.5 激光铣削加工 | 第18-19页 |
| 1.3 电火花加工放电机理的研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4 电火花成形加工的研究现状 | 第20-22页 |
| 1.5 课题研究背景和意义 | 第22-23页 |
| 1.6 课题研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 半导体硅电火花加工多放电通道的研究 | 第25-38页 |
| 2.1 半导体硅电火花多放电通道研究的试验设备 | 第25-26页 |
| 2.2 电火花加工放电通道的概念 | 第26-28页 |
| 2.3 实验原理及条件 | 第28-29页 |
| 2.4 实验结果 | 第29-31页 |
| 2.5 多通道放电机理分析 | 第31-35页 |
| 2.5.1 最低放电电压 | 第31-32页 |
| 2.5.2 等效电路模型 | 第32-34页 |
| 2.5.3 放电点周边电压值 | 第34-35页 |
| 2.6 多通道放电对电火花切割特性的影响 | 第35-37页 |
| 2.7 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 半导体硅电火花成形加工试验设备 | 第38-47页 |
| 3.1 半导体硅电火花成形加工系统的搭建 | 第38-45页 |
| 3.1.1 脉冲电源的设计 | 第38-39页 |
| 3.1.2 伺服控制系统的设计 | 第39-44页 |
| 3.1.3 成形加工工作台的搭建 | 第44-45页 |
| 3.2 其它辅助设备 | 第45-46页 |
| 3.2.1 波形采集设备 | 第45页 |
| 3.2.2 超声清洗设备 | 第45-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 半导体硅电火花成形持续加工的研究 | 第47-68页 |
| 4.1 半导体硅电火花成形持续加工条件研究 | 第47-58页 |
| 4.1.1 黑点物质的产生 | 第47-50页 |
| 4.1.2 黑点产物成分 | 第50-51页 |
| 4.1.3 生成机理 | 第51-52页 |
| 4.1.4 预防措施 | 第52-56页 |
| 4.1.4.1 电极材料的选择 | 第52-53页 |
| 4.1.4.2 工作介质的选择 | 第53-54页 |
| 4.1.4.3 排屑条件的改善 | 第54-56页 |
| 4.1.5 附加振动电火花成形加工的波形分析 | 第56-58页 |
| 4.2 半导体硅电火花成形加工的工艺实验 | 第58-63页 |
| 4.2.1 电流脉冲概率与电极进给速度的关系 | 第58-60页 |
| 4.2.2 电火花电参数对半导体硅电火花成形加工效率的影响 | 第60-63页 |
| 4.2.2.1 加工电压对半导体硅电火花成形加工效率的影响 | 第60-61页 |
| 4.2.2.2 占空比对半导体硅电火花成形加工效率的影响 | 第61-62页 |
| 4.2.2.3 脉冲宽度对半导体硅电火花成形加工效率的影响 | 第62-63页 |
| 4.3 多通道放电对电火花成形加工特性的影响 | 第63-64页 |
| 4.4 半导体硅电火花成形加工实例 | 第64-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 课题总结 | 第68-69页 |
| 5.2 课题展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第75页 |
