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InP基PIN型红外探测器结构与外延工艺研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
目录第6-8页
第1章 绪论第8-16页
    1.1 课题背景第8-9页
    1.2 红外探测器的发展第9-11页
    1.3 InP 基红外探测器的国内外研究现状第11-12页
    1.4 不同结构的 PIN 探测器第12-14页
        1.4.1 面入射型光电探测器第12页
        1.4.2 波导型光电探测器第12-13页
        1.4.3 谐振腔型光电探测器第13-14页
    1.5 本文研究的主要内容第14-16页
第2章 InP 基光电探测器的概述第16-22页
    2.1 引言第16-17页
        2.1.1 光电探测器的原理第16-17页
        2.1.2 InP 基 PIN 型探测器的工作原理第17页
    2.2 影响探测器特性的参数第17-20页
        2.2.1 内量子效率与响应度第17-18页
        2.2.2 暗电流、噪声与探测率第18-19页
        2.2.3 响应时间与吸收系数第19-20页
    2.3 本章小结第20-22页
第3章 InP 基光电探测器结构的设计第22-30页
    3.1 器件结构设计第22-23页
        3.1.1 耦合方式第22页
        3.1.2 器件结构第22-23页
    3.2 外延结构设计第23-28页
        3.2.1 本征层材料选择第23-24页
        3.2.2 InP 与 InGaAs 的晶格匹配第24页
        3.2.3 本征层厚度的优化第24-28页
        3.2.4 P 型层的选择第28页
    3.3 本章小结第28-30页
第4章 MOCVD 系统概述与外延测试第30-44页
    4.1 MOCVD 生长系统第30-35页
        4.1.1 生长反应室分系统第30-32页
        4.1.2 气体输运分系统第32-33页
        4.1.3 尾气处理分系统第33-34页
        4.1.4 生长控制装置分系统第34页
        4.1.5 在位监测分系统第34-35页
    4.2 生长温度控制与校验第35-37页
    4.3 生长厚度的调节第37页
    4.4 外延测试设备第37-43页
        4.4.1 光致发光谱第37-38页
        4.4.2 电化学 C-V第38-41页
        4.4.3 X 射线双晶衍射仪第41-42页
        4.4.4 霍尔测量第42-43页
    4.5 本章小结第43-44页
第5章 InP 基红外探测器关键外延工艺的研究第44-56页
    5.1 红外探测器的欧姆接触第44-50页
        5.1.1 P 型掺杂及 P 型欧姆接触第44-45页
        5.1.2 研究方法第45页
        5.1.3 实验结果及分析第45-48页
        5.1.4 MOCVD 扩散 Zn第48页
        5.1.5 N 型掺杂及 N 型欧姆接触第48-49页
        5.1.6 PIN 全结构的电化学 C-V第49-50页
    5.2 高质量 InGaAs 材料的研究第50-53页
        5.2.1 实验方法第50-51页
        5.2.2 实验结果及分析第51-53页
    5.3 器件性能测试第53-54页
    5.4 本章小结第54-56页
结论第56-58页
参考文献第58-62页
攻读硕士学位期间所发表的学术论文第62-64页
致谢第64页

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