| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题背景 | 第8-9页 |
| 1.2 红外探测器的发展 | 第9-11页 |
| 1.3 InP 基红外探测器的国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 不同结构的 PIN 探测器 | 第12-14页 |
| 1.4.1 面入射型光电探测器 | 第12页 |
| 1.4.2 波导型光电探测器 | 第12-13页 |
| 1.4.3 谐振腔型光电探测器 | 第13-14页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第14-16页 |
| 第2章 InP 基光电探测器的概述 | 第16-22页 |
| 2.1 引言 | 第16-17页 |
| 2.1.1 光电探测器的原理 | 第16-17页 |
| 2.1.2 InP 基 PIN 型探测器的工作原理 | 第17页 |
| 2.2 影响探测器特性的参数 | 第17-20页 |
| 2.2.1 内量子效率与响应度 | 第17-18页 |
| 2.2.2 暗电流、噪声与探测率 | 第18-19页 |
| 2.2.3 响应时间与吸收系数 | 第19-20页 |
| 2.3 本章小结 | 第20-22页 |
| 第3章 InP 基光电探测器结构的设计 | 第22-30页 |
| 3.1 器件结构设计 | 第22-23页 |
| 3.1.1 耦合方式 | 第22页 |
| 3.1.2 器件结构 | 第22-23页 |
| 3.2 外延结构设计 | 第23-28页 |
| 3.2.1 本征层材料选择 | 第23-24页 |
| 3.2.2 InP 与 InGaAs 的晶格匹配 | 第24页 |
| 3.2.3 本征层厚度的优化 | 第24-28页 |
| 3.2.4 P 型层的选择 | 第28页 |
| 3.3 本章小结 | 第28-30页 |
| 第4章 MOCVD 系统概述与外延测试 | 第30-44页 |
| 4.1 MOCVD 生长系统 | 第30-35页 |
| 4.1.1 生长反应室分系统 | 第30-32页 |
| 4.1.2 气体输运分系统 | 第32-33页 |
| 4.1.3 尾气处理分系统 | 第33-34页 |
| 4.1.4 生长控制装置分系统 | 第34页 |
| 4.1.5 在位监测分系统 | 第34-35页 |
| 4.2 生长温度控制与校验 | 第35-37页 |
| 4.3 生长厚度的调节 | 第37页 |
| 4.4 外延测试设备 | 第37-43页 |
| 4.4.1 光致发光谱 | 第37-38页 |
| 4.4.2 电化学 C-V | 第38-41页 |
| 4.4.3 X 射线双晶衍射仪 | 第41-42页 |
| 4.4.4 霍尔测量 | 第42-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 InP 基红外探测器关键外延工艺的研究 | 第44-56页 |
| 5.1 红外探测器的欧姆接触 | 第44-50页 |
| 5.1.1 P 型掺杂及 P 型欧姆接触 | 第44-45页 |
| 5.1.2 研究方法 | 第45页 |
| 5.1.3 实验结果及分析 | 第45-48页 |
| 5.1.4 MOCVD 扩散 Zn | 第48页 |
| 5.1.5 N 型掺杂及 N 型欧姆接触 | 第48-49页 |
| 5.1.6 PIN 全结构的电化学 C-V | 第49-50页 |
| 5.2 高质量 InGaAs 材料的研究 | 第50-53页 |
| 5.2.1 实验方法 | 第50-51页 |
| 5.2.2 实验结果及分析 | 第51-53页 |
| 5.3 器件性能测试 | 第53-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |