| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 碳材料与碳化物衍生碳 | 第10-16页 |
| 1.1.1 碳化物衍生碳的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.1.2 碳化物衍生碳的结构特征 | 第13-14页 |
| 1.1.3 碳化物衍生碳的应用 | 第14-16页 |
| 1.2 计算材料学与材料设计 | 第16-20页 |
| 1.2.1 材料计算模拟的发展历史 | 第17页 |
| 1.2.2 材料计算与设计的主要方法 | 第17-19页 |
| 1.2.3 材料计算与设计的意义 | 第19-20页 |
| 1.3 第一性原理在表面领域的应用 | 第20页 |
| 1.4 选题意义及研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 第一性原理与计算机模拟软件 | 第22-28页 |
| 2.1 第一性原理概述 | 第22页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第22-25页 |
| 2.2.1 Hohenberg‐Kohn 定理 | 第22-24页 |
| 2.2.2 Kohn‐Sham 方程 | 第24-25页 |
| 2.3 交换相关泛函 | 第25-26页 |
| 2.3.1 局域密度近似 (LDA) | 第25-26页 |
| 2.3.2 广义梯度近似 (GGA) | 第26页 |
| 2.4 赝势法 | 第26-27页 |
| 2.5 第一性原理计算实现途径 | 第27-28页 |
| 2.5.1 CASTEP 软件包 | 第27页 |
| 2.5.2 平衡分子从头算分子动力学的系综选择 | 第27-28页 |
| 第3章 碳化物衍生碳形成过程及电子特性的研究 | 第28-45页 |
| 3.1 计算模型与参数设置 | 第28-29页 |
| 3.1.1 晶体结构及模型 | 第28-29页 |
| 3.1.2 计算参数 | 第29页 |
| 3.2 不同碳化物衍生碳的形成过程 | 第29-33页 |
| 3.2.1 碳化物结构表面模型 | 第29-30页 |
| 3.2.2 碳化物衍生碳结构形成过程研究 | 第30-33页 |
| 3.3 布居分析 | 第33-36页 |
| 3.4 不同碳化物衍生碳的电子结构计算与性能表征 | 第36-42页 |
| 3.4.1 能带分析 | 第36-38页 |
| 3.4.2 态密度分析 | 第38-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-45页 |
| 第4章 不同温度下碳化硅衍生碳的形成过程 | 第45-57页 |
| 4.1 计算方法 | 第45-46页 |
| 4.2 不同温度下碳化硅衍生碳的形成过程 | 第46-49页 |
| 4.2.1 碳原子转移示意图 | 第46-48页 |
| 4.2.2 不同温度下碳化硅衍生碳表面结构俯视图 | 第48-49页 |
| 4.3 不同温度下碳化物衍生碳的电子结构计算与性能表征 | 第49-54页 |
| 4.3.1 能带分析 | 第49-51页 |
| 4.3.2 态密度分析 | 第51-54页 |
| 4.4 两种优化方法下 SiC‐CDC 形成过程的电子结构比较研究 | 第54-55页 |
| 4.4.1 能带比较 | 第54页 |
| 4.4.2 态密度比较 | 第54-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 作者简介 | 第67页 |