| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-18页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第12-14页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.2.1 晶体管探测器（HPT）的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.2.2 晶体管发光器件的研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 研究内容与意义 | 第17-18页 |
| 第2章 实验设备与工艺的介绍 | 第18-32页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 MOCVD 材料生长设备与原理 | 第18-24页 |
| 2.2.1 MOCVD 材料生长机制 | 第18-21页 |
| 2.2.2 MOCVD 设备组成结构 | 第21-24页 |
| 2.3 器件制备中的刻蚀工艺 | 第24-30页 |
| 2.3.1 刻蚀工艺介绍 | 第24-27页 |
| 2.3.2 实验中使用的刻蚀工艺 | 第27-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第3章 UTC-DHPT 器件的设计与制作 | 第32-54页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 UTC-DHPT 的基本原理 | 第32-34页 |
| 3.2.1 器件的工作原理 | 第32-33页 |
| 3.2.2 响应度与响应速度 | 第33-34页 |
| 3.3 模型的建立与 UTC-DHPT 基本性能的模拟 | 第34-38页 |
| 3.3.1 SILVACO 软件 | 第34-35页 |
| 3.3.2 结构与模型 | 第35-37页 |
| 3.3.3 UTC-DHPT 基本性能的模拟 | 第37-38页 |
| 3.4 器件中各层的结构参数对 UTC-DHPT 性能的影响 | 第38-49页 |
| 3.4.1 基区（吸收层）的设计 | 第39-42页 |
| 3.4.2 过渡层的设计 | 第42-47页 |
| 3.4.3 集电区（吸收层）的设计 | 第47-49页 |
| 3.5 器件制作的工艺过程 | 第49-51页 |
| 3.6 测试结果及分析 | 第51-52页 |
| 3.7 本章小结 | 第52-54页 |
| 第4章 npn 型 InP 基双异质结发光器件的研制 | 第54-70页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 晶体管发光器件的工作原理及优点 | 第54-59页 |
| 4.2.1 工作原理 | 第54-55页 |
| 4.2.2 优点 | 第55-57页 |
| 4.2.3 深脊型晶体管激光器 | 第57-59页 |
| 4.4 器件制作的工艺过程 | 第59-61页 |
| 4.5 器件性能的测试结果与分析 | 第61-69页 |
| 4.5.1 测试仪器及测试内容 | 第61-62页 |
| 4.5.2 测试结果及分析 | 第62-69页 |
| 4.6 本章小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
