| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 前言 | 第8-9页 |
| 1.2 存储器技术的发展 | 第9-11页 |
| 1.2.1 闪存 | 第10页 |
| 1.2.2 新型非易失性存储器 | 第10-11页 |
| 1.2.3 阻变存储器 | 第11页 |
| 1.3 碳纳米管 | 第11-17页 |
| 1.3.1 碳纳米管的结构 | 第12-13页 |
| 1.3.2 碳纳米管的制备 | 第13-15页 |
| 1.3.3 碳纳米管的性能及其应用 | 第15-16页 |
| 1.3.4 掺杂碳纳米管 | 第16-17页 |
| 1.4 碳纳米杂化材料 | 第17页 |
| 1.5 压阻效应 | 第17-18页 |
| 1.6 研究内容与目标 | 第18-20页 |
| 1.6.1 研究内容 | 第18-19页 |
| 1.6.2 研究目标 | 第19-20页 |
| 第2章 CNT:Ti的制备以及存储性能的研究 | 第20-40页 |
| 2.1 引言 | 第20-21页 |
| 2.2 实验部分 | 第21-23页 |
| 2.2.1 实验试剂及仪器 | 第21页 |
| 2.2.2 CNT:Ti的制备 | 第21-22页 |
| 2.2.3 CNT:Ti阻变存储器器件的制备 | 第22-23页 |
| 2.2.4 CNT:Ti的表征及测试 | 第23页 |
| 2.3 实验结果的分析 | 第23-38页 |
| 2.3.1 样品的形貌特征分析 | 第23-27页 |
| 2.3.2 应变导致CNT:Ti器件阻变现象的测试 | 第27-32页 |
| 2.3.3 温度导致CNT:Ti器件阻变现象的测试 | 第32-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第3章 CdS@C微/纳米带的制备以及存储的研究 | 第40-56页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 实验部分 | 第40-42页 |
| 3.2.1 实验试剂和仪器 | 第40页 |
| 3.2.2 CdS@C微/纳米带的制备 | 第40-41页 |
| 3.2.3 CdS@C微/纳米带阻变存储器器件的制备 | 第41-42页 |
| 3.3 实验结果的分析 | 第42-55页 |
| 3.3.1 CdS@C微/纳米带表征 | 第42-44页 |
| 3.3.2 应变导致CdS@C器件阻变现象的测试 | 第44-51页 |
| 3.3.3 红外光导致CdS@C器件阻变现象的测试 | 第51-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第4章 结论 | 第56-59页 |
| 4.1 CNT:Ti | 第56页 |
| 4.2 CdS@C微/纳米带 | 第56-57页 |
| 4.3 不足与展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第66页 |
