| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 空间辐射环境 | 第10-15页 |
| 1.1.1 银河宇宙射线 | 第10-12页 |
| 1.1.2 太阳宇宙射线 | 第12-14页 |
| 1.1.3 地球辐射带 | 第14-15页 |
| 1.2 空间辐射效应 | 第15-20页 |
| 1.2.1 单粒子效应 | 第15-19页 |
| 1.2.2 总剂量效应 | 第19-20页 |
| 1.3 Flash存储器 | 第20-24页 |
| 1.4 Flash存储器单粒子效应研究现状 | 第24-26页 |
| 1.5 本文的研究内容 | 第26-28页 |
| 第2章 实验装置和实验器件 | 第28-36页 |
| 2.1 兰州重离子加速器 | 第28-30页 |
| 2.2 单粒子效应实验装置 | 第30-31页 |
| 2.3 总剂量效应实验装置 | 第31-32页 |
| 2.4 实验器件 | 第32-36页 |
| 第3章 Flash存储器浮栅单元单粒子翻转研究 | 第36-60页 |
| 3.1 重离子引起的Flash存储器浮栅单元单粒子翻转 | 第36-42页 |
| 3.1.1 实验条件 | 第36-37页 |
| 3.1.2 实验结果和讨论 | 第37-42页 |
| 3.1.3 小结 | 第42页 |
| 3.2 总剂量和重离子协同作用对Flash存储器浮栅单元单粒子翻转的影响 | 第42-60页 |
| 3.2.1 实验条件 | 第42-43页 |
| 3.2.2 34nmFlash存储器实验结果 | 第43-50页 |
| 3.2.3 25nmFlash存储器实验结果 | 第50-56页 |
| 3.2.4 分析讨论 | 第56-58页 |
| 3.2.5 小结 | 第58-60页 |
| 第4章 辐照后Flash存储器浮栅单元错误的退火特性… | 第60-88页 |
| 4.1 重离子辐照后Flash存储器浮栅单元错误的退火特性…… | 第60-74页 |
| 4.1.1 实验条件 | 第60页 |
| 4.1.2 34nmFlash存储器实验结果 | 第60-65页 |
| 4.1.3 25nmFlash存储器实验结果 | 第65-70页 |
| 4.1.4 分析讨论 | 第70-74页 |
| 4.1.5 小结 | 第74页 |
| 4.2 总剂量和重离子协同作用对Flash浮栅单元错误退火特性的影响 | 第74-88页 |
| 4.2.1 实验条件 | 第74-75页 |
| 4.2.2 34nmFlash存储器实验结果 | 第75-80页 |
| 4.2.3 25nmFlash存储器实验结果 | 第80-85页 |
| 4.2.4 分析讨论 | 第85-86页 |
| 4.2.5 小结 | 第86-88页 |
| 第5章 辐照引起的Flash存储器浮栅单元数据保存错误 | 第88-106页 |
| 5.1 重离子引起的Flash存储器浮栅单元数据保存错误…… | 第89-96页 |
| 5.1.1 实验条件 | 第89页 |
| 5.1.2 34nmFlash存储器实验结果 | 第89-91页 |
| 5.1.3 25nmFlash存储器实验结果 | 第91-94页 |
| 5.1.4 分析讨论 | 第94-95页 |
| 5.1.5 小结 | 第95-96页 |
| 5.2 总剂量和重离子协同作用对Flash浮栅单元数据保存错误的影响 | 第96-106页 |
| 5.2.1 实验条件 | 第96-97页 |
| 5.2.2 34nmFlash存储器实验结果 | 第97-99页 |
| 5.2.3 25nmFlash存储器实验结果 | 第99-103页 |
| 5.2.4 分析讨论 | 第103-104页 |
| 5.2.5 小结 | 第104-106页 |
| 第6章 结论与展望 | 第106-110页 |
| 6.1 主要结论… | 第106-107页 |
| 6.2 工作展望 | 第107-110页 |
| 参考文献 | 第110-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第120页 |
