| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| Contents | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第12-13页 |
| 1.2 InGaN/GaN多量子阱的结构与性质 | 第13-17页 |
| 1.3 InGaN/GaN多量子阱的研究进展与存在问题 | 第17-21页 |
| 1.4 本论文的研究内容和结构安排 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 InGaN/GaN多量子阱生长技术与表征方法 | 第26-40页 |
| 2.1 MOCVD外延生长技术 | 第26-29页 |
| 2.2 微结构表征方法 | 第29-32页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第29-30页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜 | 第30-32页 |
| 2.3 发光特性表征方法 | 第32-38页 |
| 2.3.1 光致发光 | 第32-36页 |
| 2.3.2 电致发光 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第三章 InGaN/GaN多量子阱材料特性研究 | 第40-50页 |
| 3.1 InGaN/GaN多量子阱结构对其发光特性影响 | 第40-41页 |
| 3.2 InGaN/GaN多量子阱的生长 | 第41-44页 |
| 3.3 微结构特性分析 | 第44-45页 |
| 3.3.1 X射线衍射测试与分析 | 第44-45页 |
| 3.3.2 透射电子显微镜测试与分析 | 第45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 第四章 InGaN/GaN多量子阱中载流子输运及复合特性研究 | 第50-76页 |
| 4.1 光致发光特性分析 | 第50-56页 |
| 4.1.1 样品处理 | 第50页 |
| 4.1.2 变温光致发光测试与分析 | 第50-56页 |
| 4.2 电致发光特性分析 | 第56-71页 |
| 4.2.1 电极优化 | 第56-64页 |
| 4.2.2 器件制备 | 第64-66页 |
| 4.2.3 测试结果与分析 | 第66-71页 |
| 4.3 本章小结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 第五章 结论 | 第76-78页 |
| 在学期间发表的论文 | 第78页 |
| 在学期间获得奖励 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
