| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 太赫兹技术简介 | 第10-15页 |
| 1.1.1 太赫兹波的主要特征 | 第11页 |
| 1.1.2 太赫兹技术的应用研究领域 | 第11-14页 |
| 1.1.3. 太赫兹辐射源 | 第14-15页 |
| 1.2 耿氏二极管概述 | 第15-16页 |
| 1.3 耿氏二极管模型及振荡器研究状况 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第17-18页 |
| 第二章 GaN 材料特性及其耿氏振荡机理 | 第18-28页 |
| 2.1 GaN 材料特性及其优势 | 第18-21页 |
| 2.2 耿氏二极管工作原理 | 第21-26页 |
| 2.2.1 耿氏效应 | 第21-22页 |
| 2.2.2 GaN 耿氏二极管机理 | 第22-25页 |
| 2.2.3 GaN 耿氏振荡器的工作模式 | 第25-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 GaN 耿氏二极管非线性电路建模 | 第28-44页 |
| 3.1 GaN 耿氏二极管非线性电路建模 | 第28-37页 |
| 3.2 GaN 耿氏二极管 SDD 模型的搭建与验证 | 第37-42页 |
| 3.2.1 ADS 软件及其非线性器件 SDD 介绍 | 第37-38页 |
| 3.2.2 GaN 耿氏二极管非线性电路模型 SDD 建模 | 第38-41页 |
| 3.2.3 GaN 耿氏二极管非线性电路模型验证 | 第41-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 GaN 耿氏二极管振荡器电路分析 | 第44-58页 |
| 4.1 负阻振荡器工作原理 | 第44-47页 |
| 4.1.1 负阻振荡器概述 | 第44页 |
| 4.1.2 负阻振荡器起振、平衡、稳定条件 | 第44-47页 |
| 4.2 GaN 耿氏二极管模型振荡电路仿真 | 第47-57页 |
| 4.2.1 GaN 耿氏二极管模型的振荡电路调谐 | 第47-49页 |
| 4.2.2 GaN 耿氏二级管模型的振荡电路仿真与分析 | 第49-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 作者在读期间参与项目 | 第66-67页 |
