| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| Contents | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 应变Ge材料的研究意义 | 第11-12页 |
| 1.2 Ge材料的能带结构 | 第12-15页 |
| 1.3 应变Ge材料的制备方法及其进展 | 第15-20页 |
| 1.4 本论文的主要工作和结构安排 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-28页 |
| 第二章 GOI纳米带的应变增强机理分析 | 第28-40页 |
| 2.1 应力与应变的关系 | 第28-29页 |
| 2.2 GOI纳米带有限元模型的建立 | 第29-30页 |
| 2.3 GOI纳米带的应变分布 | 第30-31页 |
| 2.4 GOI纳米带产生应变的机理 | 第31-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第三章 GOI纳米带制备及提高其应变的方法 | 第40-54页 |
| 3.1 全息法制备GOI纳米带阵列的过程模拟 | 第40-43页 |
| 3.2 GOI纳米带的制备及提高其应变的方法 | 第43-48页 |
| 3.3 GOI纳米带制备实验结果分析 | 第48-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第四章 尺寸及组分可调控的SGOI纳米带的制备及表征 | 第54-71页 |
| 4.1 尺寸及Ge组分可调控的SGOI纳米带的制备方法 | 第54-58页 |
| 4.2 SiGe/Ge纳米带的表征结果分析 | 第58-66页 |
| 4.3 Ge纳米带的应变机理分析 | 第66-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 附录 硕士期间科研成果及获奖情况 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |