| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪言 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 制备铂薄膜的方法介绍 | 第11-15页 |
| 1.2.1 电镀法 | 第11-12页 |
| 1.2.2 气相沉积法 | 第12-15页 |
| 1.3 化学气相沉积用铂前驱体的研究现状 | 第15-20页 |
| 1.3.1 含有(η~3-C_3H_5)类的铂化合物 | 第16-17页 |
| 1.3.2 含有(acac)类铂的化合物 | 第17页 |
| 1.3.3 含有(Cp)的化合物 | 第17-19页 |
| 1.3.4 Pt(CH_3)RL_2 | 第19页 |
| 1.3.5 其他类 | 第19-20页 |
| 1.4 国内外研究存在的问题 | 第20-21页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 实验方案 | 第22-36页 |
| 2.1 前驱体的合成和分析 | 第22-30页 |
| 2.1.1 前驱体的制备 | 第23-29页 |
| 2.1.2 产物检测方法 | 第29-30页 |
| 2.2 CpPt(Me)_3的应用 | 第30-36页 |
| 2.2.1 CpPt(Me)_3在CVD过程中沉积原理 | 第30-31页 |
| 2.2.2 CVD沉积Pt薄膜的实验 | 第31-33页 |
| 2.2.3 在不同基体表面沉积制备Pt薄膜 | 第33-35页 |
| 2.2.4 沉积室内壁材料优化后Pt薄膜的制备 | 第35页 |
| 2.2.5 薄膜的分析方法 | 第35-36页 |
| 第三章 前驱体CpPt(Me)_3的合成 | 第36-45页 |
| 3.1 CpPt(Me)_3合成结果与过程讨论 | 第36-44页 |
| 3.1.1 合成Pt(Me)_3I两种方法的比较和选择 | 第36页 |
| 3.1.2 甲基锂制备法制备产物的检测结果 | 第36-40页 |
| 3.1.3 甲基锂制备法过程副反应讨论 | 第40-44页 |
| 3.2 小结 | 第44-45页 |
| 第四章 Pt薄膜的化学气相沉积 | 第45-69页 |
| 4.1 CVD沉积Pt薄膜 | 第45-55页 |
| 4.1.1 Pt在基体上成膜的基本条件 | 第45-49页 |
| 4.1.2 Pt在基体上形成均匀薄膜的条件 | 第49-55页 |
| 4.2 Pt在不同基体表面的沉积选择性研究 | 第55-67页 |
| 4.2.1 Pt在纯Cu、有氧化层Cu箔和镍基高温合金基体表面的选择性沉积. | 第56-60页 |
| 4.2.2 Pt在有氧化层Cu箔、PI表面和有氧化层的Al表面选择性沉积 | 第60-64页 |
| 4.2.3 Pt在纯Cu、石英玻璃和有氧化层的Al面选择性沉积 | 第64-65页 |
| 4.2.4 PI作为沉积室内壁材料的镍基高温合金表面沉积Pt薄膜 | 第65-67页 |
| 4.3 小结 | 第67-69页 |
| 第五章 CpPt(Me)_3分解过程以及薄膜生长过程和机理分析 | 第69-83页 |
| 5.1 CpPt(Me)_3分解过程分析 | 第69-70页 |
| 5.2 薄膜生长过程和机理分析 | 第70-80页 |
| 5.2.1 气相传输对Pt薄膜生长的影响 | 第70-71页 |
| 5.2.2 表面沉积过程对Pt薄膜生长的影响 | 第71-80页 |
| 5.3 小结 | 第80-83页 |
| 第六章 结论 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-93页 |
| 附录A | 第93-95页 |
| 附录B | 第95页 |
