摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-10页 |
第一章 文献综述 | 第13-45页 |
1.1 薄膜气相沉积制备技术 | 第13-18页 |
1.1.1 化学气相沉积(CVD) | 第13-14页 |
1.1.2 物理气相沉积技术(PVD) | 第14-17页 |
1.1.3 气相沉积薄膜的形核与生长 | 第17-18页 |
1.2 强磁场在材料制备上的应用 | 第18-36页 |
1.2.1 材料电磁加工技术进展 | 第18-21页 |
1.2.2 磁场作用原理 | 第21-22页 |
1.2.3 磁力在材料制备中的应用 | 第22-25页 |
1.2.4 洛仑兹力和磁流体力学(MHD)在材料制备中应用 | 第25-26页 |
1.2.5 磁热力学作用在材料上应用 | 第26-31页 |
1.2.6 磁取向在材料制备中的应用 | 第31-36页 |
1.3 磁场在薄膜制备过程中的应用 | 第36-42页 |
1.3.1 磁场在磁控溅射制备薄膜上的应用 | 第36-38页 |
1.3.2 磁场在电化学沉积薄膜上的应用 | 第38-39页 |
1.3.3 磁场在其他气相沉积薄膜上的应用 | 第39-41页 |
1.3.4 磁场下热处理薄膜 | 第41-42页 |
1.4 思路的提出和研究内容 | 第42-45页 |
1.4.1 思路的提出 | 第42-43页 |
1.4.2 研究内容 | 第43-45页 |
第二章 实验方案与研究方法 | 第45-53页 |
2.1 实验装置 | 第45-46页 |
2.2 磁场分布 | 第46-48页 |
2.2.1 磁场测量原理及装置 | 第46-47页 |
2.2.2 磁场分布 | 第47-48页 |
2.3 研究对象 | 第48-49页 |
2.4 实验方案与研究方法 | 第49-53页 |
2.4.1 基片的清洗 | 第49页 |
2.4.2 实验方案及步骤 | 第49-50页 |
2.4.3 研究方法 | 第50-53页 |
第三章 强磁场下真空蒸发 Zn 薄膜研究 | 第53-79页 |
3.1 薄膜厚度对Zn 薄膜磁场下生长的影响 | 第53-63页 |
3.1.1 不同厚度薄膜的XRD 结果分析 | 第53-59页 |
3.1.2 薄膜厚度对Zn 薄膜表面形貌的影响 | 第59-63页 |
3.2 基片放置方式对Zn 薄膜磁场下沉积的影响 | 第63-71页 |
3.2.1 基片放置方式对Zn 薄膜XRD 结果的影响 | 第63-65页 |
3.2.2 基片放置方式对Zn 薄膜SEM 结果的影响 | 第65-66页 |
3.2.3 磁场对Zn 薄膜取向作用分析 | 第66-71页 |
3.3 氧化法制备ZnO 光电薄膜 | 第71-76页 |
3.3.1 XRD 结果分析 | 第71-73页 |
3.3.2 ZnO 薄膜的SEM 表面形貌结果 | 第73-74页 |
3.3.3 ZnO 薄膜的紫外分光光度计结果 | 第74页 |
3.3.4 ZnO 薄膜的光致发光(PL)结果 | 第74-76页 |
3.4 本章小结 | 第76-79页 |
第四章 强磁场下Te 薄膜的取向生长和形核 | 第79-93页 |
4.1 Te 薄膜结构特征 | 第79-80页 |
4.2 磁场强度对Te 沉积的影响 | 第80-84页 |
4.3 温度对Te 沉积取向生长的影响 | 第84-86页 |
4.4 磁场对Te 薄膜形核机理研究 | 第86-91页 |
4.5 本章小结 | 第91-93页 |
第五章 磁场下Bi 薄膜取向生长研究 | 第93-101页 |
5.1 Bi 的磁性特征 | 第93-94页 |
5.2 6T 以下磁场Bi 薄膜的XRD 结果 | 第94-98页 |
5.3 6T 以上磁场制备Bi 薄膜的XRD 结果 | 第98-100页 |
5.4 本章小结 | 第100-101页 |
第六章 强磁场下Bi 薄膜表面粗糙度和动力学标度的AFM 研究 | 第101-113页 |
6.1 表面粗糙度及动力学标度 | 第101-103页 |
6.2 Bi 薄膜的表面粗糙度分析 | 第103-108页 |
6.3 Bi 薄膜的动力学标度分析 | 第108-111页 |
6.4 本章小结 | 第111-113页 |
第七章 结论与展望 | 第113-117页 |
7.1 全文主要结论 | 第113-114页 |
7.2 论文主要创新点 | 第114-115页 |
7.3 工作展望 | 第115-117页 |
参考文献 | 第117-135页 |
附录一 | 第135-141页 |
附录二 | 第141-144页 |
作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第144-145页 |
作者在攻读博士学位期间公开申请的专利 | 第145-146页 |
作者在攻读博士学位期间所做的项目 | 第146-147页 |
致谢 | 第147页 |