| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.1.1 课题背景 | 第10页 |
| 1.1.2 研究目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 本文主要研究的内容 | 第13-14页 |
| 第2章 实验材料与测试方法 | 第14-16页 |
| 2.1 实验材料与仪器 | 第14页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第14页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第14页 |
| 2.2 性能测试 | 第14-15页 |
| (1) 体积电阻率测试 | 第14页 |
| (2) 交流击穿场强测试 | 第14-15页 |
| (3) 介电谱测试 | 第15页 |
| (4) 等温衰减电流测试 | 第15页 |
| (5) 耐电晕测试 | 第15页 |
| (6) 紫外-可见光谱（UV-VIS）测试 | 第15页 |
| 2.3 结构表征 | 第15-16页 |
| (1) 扫描电镜（SEM）测试 | 第15页 |
| (2) 小角 SAXS 散射射线分析 | 第15-16页 |
| 第3章 PI/AlN 纳米复合薄膜制备 | 第16-20页 |
| 3.1 聚酰亚胺合成原理 | 第16-17页 |
| 3.1.1 聚酰胺酸合成 | 第16页 |
| 3.1.2 聚酰胺酸亚胺化 | 第16-17页 |
| 3.2 氮化铝结构与性能特征 | 第17-18页 |
| 3.3 聚酰亚胺/氮化铝复合薄膜制备 | 第18-19页 |
| 3.4 本章小结 | 第19-20页 |
| 第4章 PI/AlN 纳米复合薄膜结构 | 第20-28页 |
| 4.1 PI/AlN 纳米复合薄膜断面形貌 | 第20-21页 |
| 4.2 PI/AlN 复合薄膜散射体粒径分布 | 第21-24页 |
| 4.3 PI/AlN 复合薄膜散射体系分形特性 | 第24-25页 |
| 4.4 PI/AlN 复合薄膜散射体系密度分布 | 第25-27页 |
| 4.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第5章 PI/AlN 纳米复合薄膜电性能 | 第28-45页 |
| 5.1 PI/AlN 纳米复合薄膜介电性能 | 第28-34页 |
| 5.1.1 PI/AlN 纳米复合薄膜介电松弛 | 第28-31页 |
| 5.1.2 PI/AlN 纳米复合薄膜体积电阻率 | 第31-32页 |
| 5.1.3 PI/AlN 纳米复合薄膜交流击穿场强性能 | 第32-34页 |
| 5.2 PI/AlN 复合薄膜等温衰减电流与陷阱能级分布 | 第34-38页 |
| 5.2.1 PI/AlN 复合薄膜等温衰减电流 | 第34-36页 |
| 5.2.2 PI/AlN 复合薄膜陷阱能级分布 | 第36-37页 |
| 5.2.3 PI/AlN 复合薄膜陷阱能级密度分布与 SAXS 关联性 | 第37-38页 |
| 5.2.4 PI/AlN 复合薄膜陷阱能级对介电性能的影响 | 第38页 |
| 5.3 PI/AlN 纳米复合薄膜耐电晕特性与机理 | 第38-43页 |
| 5.3.1 PI/AlN 纳米复合薄膜耐电晕老化能力 | 第38-39页 |
| 5.3.2 PI/AlN 纳米复合薄膜电晕老化机理 | 第39-43页 |
| 5.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
