| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 气敏传感器概述 | 第9-10页 |
| 1.2 硅纳米线概述 | 第10-15页 |
| 1.2.1 硅纳米线的研究现状概述 | 第10-11页 |
| 1.2.2 硅纳米线的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.2.3 硅纳米线的应用 | 第13-15页 |
| 1.3 本文选题依据及主要工作内容 | 第15-17页 |
| 第2章 硅纳米线的金属辅助刻蚀及其气体敏感性介绍 | 第17-29页 |
| 2.1 金属辅助化学刻蚀法概述 | 第17-23页 |
| 2.1.1 金属辅助化学刻蚀法刻蚀机理 | 第17-20页 |
| 2.1.2 刻蚀剂浓度对刻蚀形貌的影响 | 第20-21页 |
| 2.1.3 刻蚀时间对刻蚀形貌的影响 | 第21-23页 |
| 2.2 硅纳米线气敏传感器工作原理 | 第23-25页 |
| 2.2.1 半导体式气敏传感器分类 | 第23页 |
| 2.2.2 硅纳米线气敏传感器敏感机理介绍 | 第23-25页 |
| 2.3 本文研究的气敏传感器的主要性能指标 | 第25-29页 |
| 第3章 硅纳米线制备及其表面改性 | 第29-39页 |
| 3.1 硅纳米线阵列的制备 | 第29-30页 |
| 3.1.1 硅片的准备 | 第29页 |
| 3.1.2 硅片的清洗 | 第29页 |
| 3.1.3 金属辅助刻蚀法制备硅纳米线 | 第29-30页 |
| 3.1.4 反应产物的去除和清洗 | 第30页 |
| 3.2 硅纳米线表面改性概述 | 第30页 |
| 3.3 金属粒子表面修饰 | 第30-32页 |
| 3.3.1 金属纳米粒子表面修饰概述 | 第30-31页 |
| 3.3.2 磁控溅射修饰金属纳米粒子 | 第31页 |
| 3.3.3 金属纳米粒子微观表征 | 第31-32页 |
| 3.4 各向异性二次刻蚀 | 第32-37页 |
| 3.4.1 各向异性刻蚀概述 | 第32-33页 |
| 3.4.2 KOH后刻蚀过程 | 第33-35页 |
| 3.4.3 硅纳米线阵列的SEM表征 | 第35-37页 |
| 3.5 硅纳米线阵列的TEM表征 | 第37页 |
| 3.6 硅纳米线阵列的BET比表面积测试 | 第37-39页 |
| 第4章 硅纳米线气敏传感器的制备及其气敏特性 | 第39-55页 |
| 4.1 传感器电极制备 | 第39-44页 |
| 4.1.1 铂电极 | 第39-40页 |
| 4.1.2 导电银浆薄膜电极 | 第40-44页 |
| 4.2 硅纳米线气敏传感器的导电路径 | 第44-45页 |
| 4.3 气敏测试系统概述 | 第45-46页 |
| 4.4 表面修饰金属前后气敏性能的对比 | 第46-48页 |
| 4.4.1 未修饰硅纳米线基气敏传感器的NO_2响应 | 第46页 |
| 4.4.2 铜修饰硅纳米线对NO_2的气敏特性 | 第46-47页 |
| 4.4.3 钛修饰硅纳米线对NO_2的气敏特性 | 第47页 |
| 4.4.4 钨修饰硅纳米线对NO_2的气敏特性 | 第47-48页 |
| 4.5 粗糙硅纳米线气敏传感器对H_2的响应 | 第48-52页 |
| 4.5.1 不同二次刻蚀时间样品对 100ppm H_2的响应对比 | 第48-49页 |
| 4.5.2 粗糙硅纳米线气敏传感器对H_2的动态响应 | 第49-51页 |
| 4.5.3 粗糙硅纳米线气敏传感器对H_2的选择性 | 第51页 |
| 4.5.4 粗糙硅纳米线H_2气敏传感器的重复性和稳定性 | 第51-52页 |
| 4.6 粗糙硅纳米线气敏传感器对NO_2的响应 | 第52-55页 |
| 4.6.1 光滑和粗糙硅纳米线气敏传感器的NO_2灵敏度对比 | 第52-53页 |
| 4.6.2 粗糙硅纳米线气敏传感器对NO_2的动态响应 | 第53-54页 |
| 4.6.3 粗糙硅纳米线NO_2气敏传感器的重复性和稳定性 | 第54-55页 |
| 第5章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
